[发明专利]一种影像传感器晶圆级封装方法及封装结构在审
申请号: | 201910605113.7 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110349986A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 王成迁 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感器 晶圆 玻璃载板 晶圆级封装 透明介质层 封装结构 阻焊层 旋涂 切割 低折射率介质层 集成电路封装 金属线路层 封装芯片 技术技术 感光面 可拆解 切割面 互连 侧边 钝化 焊球 键合 凸点 拆卸 制作 背面 清洗 激光 开口 印刷 暴露 外部 | ||
1.一种影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,包括:
提供玻璃载板和影像传感器晶圆,并将二者键合在一起;其中,
所述玻璃载板上依次有旋涂激光可拆解层和透明介质层;所述影像传感器晶圆的感光面旋涂有低折射率介质层;
在所述影像传感器晶圆的背面形成钝化与金属线路层;
切割所述影像传感器晶圆使其暴露四个侧边,在切割面制作阻焊层;
在所述阻焊层开口并在其中制作凸点或印刷焊球;
拆卸所述玻璃载板并清洗所述透明介质层,再进行切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片。
2.如权利要求1所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,所述影像传感器晶圆包括硅基板和形成在所述硅基板上的金属焊垫和影像传感器微透镜。
3.如权利要求1所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,在所述影像传感器晶圆的背面形成钝化与金属线路层包括:
减薄所述影像传感器晶圆至目标厚度;
采用干法刻蚀在所述影像传感器晶圆的背面制作TSV通孔;
通过光刻、电镀和化镀工艺在所述TSV通孔和所述影像传感器晶圆的背面形成钝化与金属线路层。
4.如权利要求3所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,所述TSV通孔选用角度为50°~70°的斜孔或二阶斜孔。
5.如权利要求4所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,所述TSV通孔选用角度90°的直孔。
6.如权利要求1所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,通过旋涂或丝网印胶工艺制作所述阻焊层,所述阻焊层为添加石墨碳粉的黑色树脂材料,其厚度超过1μm。
7.如权利要求1所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,所述激光可拆解层的厚度为0.1~1μm;所述透明介质层的透光率超过99%,其旋涂厚度超过1μm。
8.如权利要求1所述的影像传感器晶圆级封装方法,其特征在于,所述低折射率介质层的旋涂厚度为0.1-5μm,所述低折射率介质层的折射率为1.0~1.5。
9.一种影像传感器晶圆级封装结构,其特征在于,通过如权利要求1-8任一所述的影像传感器晶圆级封装方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的