[发明专利]In-LineECC模块及其实现方法

说明书

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种为存储设备提供ECC的方法，包括：为写命令要写入的数据单元计算校验数据，并将校验数据添加至数据单元得到ECC单元；根据写命令指示的数据单元地址计算数据单元对应的ECC单元的存储地址；生成指示ECC单元存储地址的写命令，以将ECC单元写入DRAM。以使用相对便宜的普通的存储器，并同时提供ECC功能；以及降低访问校验数据为存储器访问带来带宽与延迟方面的额外开销，以保证存储器的性能。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及存储器子系统中使用In-lineECC(在线ECC)提供的错误检查与校正。

背景技术

一些存储器子系统中提供错误检查与校正(Error Checking and Correction,ECC)功能，用来检测存储器中的数据错误，以及可选地，对错误数据进行校正。提供ECC功能的存储器中存储数据以及基于数据计算出的校验数据。数据与其校验数据构成数据保护单元。例如，一个数据保护单元中，校验数据的大小是数据的12.5％。

有多种为存储器中的数据生成校验数据的ECC编码，例如通过XOR(异或)计算产生校验数据，通过汉明码产生校验数据，通过BCH(Bose–Chaudhuri–Hocquenghem)码产生校验数据等。

发明内容

提供ECC功能的存储器价格相对昂贵。希望使用相对便宜的普通的存储器，并同时提供ECC功能。以及访问校验数据将为存储器访问带来带宽与延迟方面的额外开销，希望降低这种开销，以保证存储器的性能。

根据本申请的第一方面，提供了根据本申请第一方面的第一为存储设备提供ECC的方法，包括：为写命令要写入的数据单元计算校验数据，并将校验数据添加至数据单元得到ECC单元；根据写命令指示的数据单元地址计算数据单元对应的ECC单元的存储地址；生成指示ECC单元存储地址的写命令，以将ECC单元写入DRAM。

根据本申请的第一方面的第一为存储设备提供ECC的方法，提供了根据本申请第一方面的第二为存储设备提供ECC的方法，其中，将校验数据附加至数据单元的指定位置以生成ECC单元。

根据本申请的第一方面的第二为存储设备提供ECC的方法，提供了根据本申请第一方面的第三为存储设备提供ECC的方法，其中，指定位置为数据单元之后。

根据本申请的第一方面的第一至第三为存储设备提供ECC的方法之一，提供了根据本申请第一方面的第四为存储设备提供ECC的方法，还包括：响应于接收到写命令，将写命令要写入的数据单元缓存至数据缓存；对缓存至数据缓存的数据单元计算校验数据。

根据本申请的第一方面的第四为存储设备提供ECC的方法，提供了根据本申请第一方面的第五为存储设备提供ECC的方法，其中，数据缓存的大小等于总线的最大传输长度。

根据本申请的第一方面的第一至第五为存储设备提供ECC的方法之一，提供了根据本申请第一方面的第六为存储设备提供ECC的方法，还包括：响应于将ECC单元写入DRAM，向发出写命令的主设备发送写命令处理完成的信息。

根据本申请的第一方面的第一至第六为存储设备提供ECC的方法之一，提供了根据本申请第一方面的第七为存储设备提供ECC的方法，其中，数据单元附加校验数据后不足ECC单元的指定大小的部分，由任意数值填充，其中ECC单元是按字节对齐的、数据单元附加校验数据的存储单元。