[发明专利]一种具有通孔阵列的平板电容结构制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，包括：

在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使所述平板及所述通孔的侧壁上均覆盖所述第一金属层；

在所述平板上的所述第一金属层上形成可溶性保护层，形成所述可溶性保护层的可溶性材料同时填充于所述通孔阵列中；

去除所述平板上的所述可溶性保护层，保留所述通孔阵列中填充的所述可溶性材料；

在所述平板上的所述第一金属层上电镀第二金属层；

去除所述通孔阵列中填充的所述可溶性材料，使通孔侧壁上的所述第一金属层暴露；

蚀刻所述平板上沉积的金属层和通孔侧壁上的第一金属层，完全去除所述通孔侧壁上的第一金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。

2.根据权利要求1所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属层包括粘附金属层和电镀种子层，所述粘附金属层设置于所述平板和所述电镀种子层之间。

3.根据权利要求2所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述粘附金属层含有的金属材料为Ti、TiN、Cr或Ta中的任意一种；所述电镀种子层为导电金属层。

4.根据权利要求1或2所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度小于3微米。

5.根据权利要求1或2所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为0.5～1微米。

6.根据权利要求1所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述可溶性材料为光刻胶或可溶性有机树脂中的任意一种。

7.根据权利要求6所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述光刻胶为干膜光刻胶或液态光刻胶；所述可溶性有机树脂为可溶性有机树脂片或可溶性有机树脂溶液。

8.根据权利要求7所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述可溶性材料为所述干膜光刻胶或所述可溶性有机树脂片时，采用真空压膜机压合的方式使所述可溶性材料填充至所述通孔阵列中。

9.根据权利要求7所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述可溶性材料为干膜光刻胶或液态光刻胶时，采用显影液去除所述平板上的所述可溶性保护层以及所述通孔阵列中填充的所述可溶性材料。

10.根据权利要求7所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述可溶性材料为液态光刻胶或可溶性有机树脂溶液时，采用真空减压填充至所述通孔阵列中。

11.根据权利要求6所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，所述可溶性材料为可溶性有机树脂时，采用可溶解所述可溶性有机树脂的有机溶剂去除所述平板上的所述可溶性保护层以及所述通孔阵列中填充的所述可溶性材料。

12.一种电子设备，包括由权利要求1-11任一项所述的具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法制造的平板电容。