[发明专利]带遮挡的溅射沉积装置及方法

权利要求书

1.一种溅射沉积系统，包括一个工艺模块，所述工艺模块包括：

一个真空外壳，配置为接收一个移动衬底；

多个溅射靶，设置在所述真空外壳中，每个所述溅射靶包括一种靶材；以及

一个外部遮蔽件，设置在所述衬底和相邻溅射靶的间隙空间之间，所述外部遮蔽件构造为至少部分地阻挡溅射靶材间接沉积在所述衬底上，并且允许所述溅射靶材直接沉积在所述衬底上。

2.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述外部遮蔽件包括多个孔，每个孔构造为将所述衬底的一部分直接暴露给一个相应的溅射靶。

3.如权利要求2所述的沉积系统，其中所述这些孔中的至少一个构造为使得与所述衬底的中央区域相比，所述衬底的相对的第一边缘区域和第二边缘区域暴露于更大量的间接沉积。

4.如权利要求2所述的沉积系统，其中所述这些孔中的至少一个构造为使得所述外部遮蔽件将所述衬底的相对的第一边缘区域和第二边缘区域暴露于来自所述这些溅射靶中至少一个的溅射靶材的间接沉积，并且实质上阻挡所述溅射靶材在所述衬底的中央区域上的全部间接沉积。

5.如权利要求2所述的沉积系统，其中

来自每个溅射靶的直接沉积的比率在所述溅射靶的中央区域是最高的，在所述溅射靶的相对的边缘区域是最低的；并且

所述外部遮蔽件构造为部分地阻挡所述间接沉积，使得所述间接沉积的比率在所述衬底的相对的边缘区域是最高的，在所述衬底的中央区域是最低的。

6.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述外部遮蔽件是电接地的或电浮置的，使得所述外部遮蔽件的极性与包括所述这些溅射靶中的磁控管的极性是不同的。

7.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述外部遮蔽件包括多个单独的遮蔽构件，这些遮蔽构件构造为至少部分地阻挡所述溅射靶材的间接沉积。

8.如权利要求7所述的沉积系统，其中所述这些遮蔽构件构造为阻挡相对较多的所述溅射靶材间接沉积在所述衬底的中央区域上，并且阻挡相对较少的所述溅射靶材间接沉积在所述衬底的相对的边缘区域上。

9.如权利要求7所述的沉积系统，其中每个所述遮蔽构件设置在所述衬底和相邻靶的间隙空间之间。

10.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述这些靶包括相同类型的靶材。

11.如权利要求10所述的沉积系统，其中所述靶材包括一种透明导电氧化物。

12.如权利要求11所述的沉积系统，其中所述透明导电氧化物包括：氧化铟锡、氧化锌、或掺杂氧化锌。

13.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述真空外壳包括用于将所述这些靶彼此分离开的多个隔离壁。

14.如权利要求1所述的沉积系统，进一步包括：

至少一个卷轴或卷，配置为以一个垂直定向沿着从所述真空外壳上的输入端口到所述真空外壳上的输出端口的第一方向连续移动所述衬底；以及

多个附加工艺模块，配置为在所述衬底上沉积多种材料蒸汽。

15.一种溅射沉积方法，包括：

用设置在一个真空外壳中的多个溅射靶来溅射一种靶材；并且

通过直接沉积将所述溅射靶材沉积在一个移动经过所述真空外壳的衬底上，同时用一个设置在所述衬底和相邻溅射靶的间隙空间之间的外部遮蔽件至少部分地阻挡所述溅射靶材间接沉积在所述衬底上。