[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

导电层的堆叠；

柱的阵列，穿过所述堆叠，所述柱中的每一者包括多个串联连接的存储单元，所述多个串联连接的存储单元在柱位置的布局图案中位于所述柱与所述导电层之间的交叉点处，所述阵列中的所述柱排列成在第一方向上的延伸的一组柱列；

第一源极线，安置成垂直地穿过所述一组柱列中的特定第一列柱中的所述柱；

第二源极线，安置成垂直地穿过所述一组柱列中的特定第二列柱中的所述柱，其中所述一组柱列包括柱列子组，所述柱列子组包括安置于所述第一源极线与所述第二源极线之间的多个部件；以及

源极线导体，安置于所述第一源极线、所述第二源极线及安置于所述第一源极线与所述第二源极线之间的所述柱列子组下方，且电性连接至所述第一源极线、所述第二源极线及所述柱列子组。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述布局图案于在第二方向上延伸的一行柱位置中的柱位置之间具有列间距，所述第二方向与所述第一方向正交，所述列间距对于所述一行柱位置中的所述柱位置而言是固定的，所述一行柱位置中的所述柱位置包括安置所述第一源极线时所穿过的所述特定第一列柱中的至少一柱位置以及所述一行柱位置中的在所述第一源极线与所述第二源极线之间的所有柱位置。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述柱列子组中的所述柱穿透过所述堆叠中的所述导电层且被所述导电层环绕。

4.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述导电层的所述堆叠包括：一个或多个上层，被配置为串选择栅极，所述串选择栅极包括用于所述柱列子组的一个串选择栅极；以及位于所述一个或多个上层之下的多个层，被配置为字线。

5.如权利要求1所述的存储器装置，包括：

缝隙，具有延伸穿过所述堆叠中的所述导电层的侧壁，所述侧壁在安置所述第一源极线时所穿过的所述特定第一列柱的柱位置处包括所述柱的一系列残余物。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述布局图案在第二方向上在邻近的多行柱位置中的邻近柱位置之间具有列偏差。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述布局图案在所述第一方向上在一列柱位置中的邻近柱位置之间具有行间距，且在所述第一方向上在邻近的数列柱位置中的邻近柱位置之间具有行偏差。

8.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述柱在第二方向上具有第一宽度，且所述第一源极线在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度较所述第一宽度窄。

9.如权利要求1所述的存储器装置，包括：

所述柱的残余物，位于安置所述第一源极线时所穿过的所述特定第一列柱的柱位置处；以及

绝缘间隔件，将所述残余物与所述第一源极线分隔开。

10.如权利要求1所述的存储器装置，包括：

导电插塞，垂直地安置于所述柱的所述阵列中的所述柱与所述源极线导体之间，且连接至所述柱及所述源极线导体；以及

所述导电插塞的残余物，位于安置所述第一源极线时所穿过的所述特定第一列柱的柱位置处。

11.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一源极线安置成垂直地穿过至少两个邻近的柱列中的所述柱，所述至少两个邻近的柱列在包括所述特定第一列柱的所述一组柱列中。

12.如权利要求11所述的存储器装置，包括：

所述柱的残余物，位于安置所述第一源极线时所穿过的所述至少两个邻近的柱列的柱位置处；以及

绝缘间隔件，将所述残余物与所述第一源极线分隔开。