[发明专利]基于CsPbBr3

权利要求书

1.一种基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：

所述传感器由下至上包括依次层叠的工作电极、CsPbBr₃/GO同型异质结构层、疏水层和分子印迹聚合物膜层；其中：所述CsPbBr₃/GO同型异质结构层是将CsPbBr₃/GO复合材料涂覆到预处理后的工作电极表面形成；所述CsPbBr₃/GO复合材料采用如下方法制得，步骤如下：

（a）CsOA的制备：按配比将碳酸铯、1-十八烯和油酸混匀后在115～125℃条件下抽真空0.5～1h，然后在惰性氛围中将反应温度升至145～155℃形成光学透明溶液，继续恒温回流0.5～1h后将所得溶液冷却至室温，获得CsOA溶液；所述碳酸铯、1-十八烯和油酸的用量比为（5～15）mmol：（10～30）mL：（10～30）mL；所述CsOA溶液的浓度为0.1～1.0 M；

（b）CsPbBr₃的制备：按配比将1-十八烯，油胺，油酸和溴化铅混匀后在115～125℃条件下抽真空0.5～1h；然后在惰性氛围中将温度升至175～185℃使溴化铅完全溶解，获得混合溶液；再将步骤（a）制备的CsOA溶液注入到所述混合溶液中恒温反应3～10s；反应结束后，冷却至室温，洗涤、离心，获得CsPbBr₃钙钛矿量子点，最后用有机溶剂将所述CsPbBr₃钙钛矿量子点溶解配制成合适浓度的CsPbBr₃溶液；其中：所述CsOA与溴化铅的摩尔比为1：2～5；所述1-十八烯、油胺、油酸的体积比为（3～5）：1；所述溴化铅与1-十八烯的用量比为（1～3）mmol： 20 mL；所述CsPbBr₃溶液浓度为5～15 mg/mL；

（c）CsPbBr₃/GO的制备：在超声条件下，将氧化石墨烯缓慢加入到步骤（2）制备的CsPbBr₃溶液中，均匀混合得到CsPbBr₃/GO复合材料；其中：所述氧化石墨烯与CsPbBr₃的质量比为1：2～10。

2.根据权利要求1所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述疏水层材料采用聚甲基丙烯酸甲酯。

3.权利要求1或2所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

首先将CsPbBr₃/GO复合材料涂覆到预处理后的工作电极表面形成CsPbBr₃/GO同型异质结构光电转换层，干燥；然后将疏水层材料涂覆到所述光电转换层表面形成疏水层，干燥；再将含有AFB₁毒素的分子印迹聚合液涂覆在所述疏水层表面，通过光聚合得到分子印迹聚合物膜，再利用有机溶剂洗脱模板分子，得到所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器。

4.根据权利要求3所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述分子印迹聚合液由AFB₁模板分子、功能单体甲基丙烯酸、乙二醇二甲基丙烯酸酯交联剂和偶氮二异丁腈引发剂组成。

5.权利要求1或2所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的应用，其特征在于：用于AFB1毒素分析检测。

6.根据权利要求5所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的应用，其特征在于：所述应用步骤如下：

（i）将所述分子印迹光电化学传感器浸入到含AFB₁的溶液中孵化15～25min；

（ii）孵化结束后，检测分子印迹光电化学传感器的电信号：将所述传感器放入含有抗坏血酸（AA）的溶液中进行电流-时间扫描，得到电流信号变化情况。

7.根据权利要求6所述的基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的应用，其特征在于：步骤（ii）所述的抗坏血酸浓度为25～35nM。