[发明专利]基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，包括：底座、V₆O₁₃单晶片、源电极以及漏电极；

所述底座为凹形，所述V₆O₁₃单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V₆O₁₃单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V₆O₁₃单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。

2.根据权利要求1所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，所述底座包括支撑层和第一基底；所述第一基底为水平板状，所述支撑层固定在所述第一基底的上表面的两端，形成凹槽，所述底座两边的凸起为所述支撑层。

3.根据权利要求2所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，所述支撑层为Cu膜，其厚度为500nm。

4.根据权利要求1所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，所述底座为一体化的内凹形的第二基底。

5.根据权利要求1所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，所述底座的凹槽宽度为100-200μm。

6.根据权利要求1所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，所述V₆O₁₃单晶片宽为10-50μm，其长大于或等于500μm。

7.根据权利要求1所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，其特征在于，所述V₆O₁₃单晶片两端的上表面镀的金属薄膜相同或者不同，所述V₆O₁₃单晶片两端的上表面镀的金属薄膜为金或者银。

8.一种根据权利要求1-2、5-7任意一项所述的基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

S1，制作底座；

S2，在V₆O₁₃单晶片的上表面旋涂电子束光刻胶；并在V₆O₁₃单晶片上确定源电极和漏电极的位置，通过显影、定影去除源电极和漏电极位置的电子束光刻胶，在V₆O₁₃单晶片上采用真空镀膜技术蒸镀金属膜，最后用丙酮将金属膜以外的电子束光刻胶去除，得到源电极、漏电极；

S3，将制备好源电极、漏电极的V₆O₁₃单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，得到基于V₆O₁₃单晶片的悬空式光电探测器。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

依次使用丙酮、去离子水以及酒精对第一基底进行超声清洗；

在清洗干净的第一基底上旋涂电子束光刻胶；在第一基底上的两端确定支撑层的位置，通过显影、定影去除支撑层位置处的电子束光刻胶，之后采用真空镀膜技术蒸镀金属膜作为支撑层，最后用丙酮将支撑层以外的电子束光刻胶去除，得到凹形的底座。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S1还包括：

依次使用丙酮、去离子水和酒精对第二基底进行超声清洗；

在清洗干净的第二基底上旋涂电子束光刻胶；确定第二基底上凹槽位置，然后通过显影、定影去除凹槽位置处的电子束光刻胶，之后用刻蚀剂刻蚀第二基底，形成凹槽；最后用丙酮除去电子光刻胶和多余刻蚀剂，得到凹形的第二基底。