[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法，该方法包括：

形成第一导电结构，其沿第一方向延伸并具有闭环形状；

形成第二导电结构，其沿第二方向延伸并具有闭环形状，所述第二方向与所述第一方向交叉；

在所述第一导电结构与所述第二导电结构的交叉处形成存储单元；

通过刻蚀所述第一导电结构的端部部分，形成沿所述第一方向延伸的第一导电图案；

通过刻蚀所述第二导电结构的端部部分，形成沿所述第二方向延伸的第二导电图案；

在所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面之上形成第一保护层；以及

在所述第一保护层上形成间隙填充层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案包括钨，所述间隙填充层包括氧化物，以及所述第一保护层包括氮化物。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一保护层防止所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面生长。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电结构包括：

形成叠层，其包括导电层和可变电阻层；以及

将所述叠层图案化为所述闭环形状。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一导电图案之前，在所述第二导电图案的被刻蚀的表面之上形成第二保护层。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在形成所述第一导电图案时，所述第二导电图案的被刻蚀的表面由所述第二保护层保护。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一导电结构的侧壁上形成第一衬垫层；以及

在所述第二导电结构的侧壁上形成第二衬垫层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一衬垫层形成在所述第一导电图案的面向所述第二方向的侧壁上，以及所述第一保护层形成在所述第一导电图案的面向所述第一方向的侧壁上，以及

其中，所述第二衬垫层形成在所述第二导电图案的面向所述第一方向的侧壁上，以及第二保护层形成在所述第二导电图案的面向所述第二方向的侧壁上。

9.一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：

形成第一层叠结构，其沿第一方向延伸；

在所述第一层叠结构之间形成第一间隙填充层；

形成第二层叠结构，其沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；

在所述第二层叠结构之间形成第二间隙填充层；

形成第一沟槽，其穿过所述第一间隙填充层和所述第二间隙填充层，并暴露出所述第一层叠结构的第一侧壁；

在所述第一沟槽中形成第一保护层；以及

在形成有所述第一保护层的所述第一沟槽中形成第三间隙填充层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一层叠结构和所述第二层叠结构中的每一个具有闭环形状。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一层叠结构与所述第三间隙填充层通过所述第一保护层彼此分隔开。

12.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一层叠结构包括钨层，所述第三间隙填充层包括氧化物，以及所述第一保护层包括氮化物。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一保护层防止所述钨层的被刻蚀的表面生长。

14.如权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一层叠结构包括：

形成叠层，其包括导电层和可变电阻层；以及

将所述叠层图案化为闭环形状。