[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910608985.9 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN111276500A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 崔龙勋 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/24;H01L23/485 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:
单元阵列,所述单元阵列具有按矩阵布置的电路单元;
至少一条行线,所述至少一条行线沿第一方向布置在单元阵列区域上方;以及
至少一条列线,所述至少一条列线沿与所述第一方向交叉的第二方向布置在所述单元阵列区域上方,
其中,所述至少一条行线和所述至少一条列线被配置为包括位于通过至少一个绝缘层相互分开的不同水平处并且通过所述单元阵列区域中的接触件彼此联接的导线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述至少一条行线包括:
第一导线,所述第一导线设置在第一水平处并沿所述第一方向延伸;以及
第二导线,所述第二导线设置在不同于所述第一水平的第二水平并沿所述第一方向延伸,
其中,所述第一导线和所述第二导线通过第一接触件彼此联接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述至少一条列线包括:
第三导线,所述第三导线设置在所述第二水平处并沿所述第二方向延伸;以及
第四导线,所述第四导线设置在所述第一水平处并沿所述第二方向延伸,
其中,所述第三导线和所述第四导线通过第二接触件彼此联接。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,该半导体装置还包括:
第三接触件,所述第三接触件在所述单元阵列区域中设置在所述第二导线上方;以及
第四接触件,该第四接触件在所述单元阵列区域中设置在所述第三导线上方。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述单元阵列包括用于存储数据的存储器单元阵列或用于捕获图像的感光像素阵列。
6.一种半导体装置,该半导体装置包括:
第一行线,所述第一行线设置在单元阵列区域的第一子区域中,所述第一行线沿第一方向延伸;
第一列线,所述第一列线设置在所述单元阵列区域的第二子区域中,所述第一列线在与所述第一行线相同的水平处沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸;
第二列线,所述第二列线设置在所述第一子区域中的所述第一行线上方,所述第二列线沿所述第二方向延伸;以及
第二行线,所述第二行线设置在所述第二子区域中的所述第一列线上方,所述第二行线在与所述第二列线相同的水平处沿所述第一方向延伸,
其中,所述第一行线和所述第二行线通过第一接触件彼此联接。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第一接触件设置在所述单元阵列区域中。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,所述第一接触件位于所述第一子区域和所述第二子区域之间的边界区域。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,该半导体装置还包括:
第三行线,所述第三行线设置在所述单元阵列区域中的沿所述第二方向与所述第二子区域邻接的第三子区域中,所述第三行线在与所述第一行线相同的水平处沿所述第一方向延伸;
第三列线,所述第三列线设置在所述单元阵列区域中的沿所述第二方向与所述第一子区域邻接的第四子区域中,所述第三列线在与所述第一行线相同的水平处沿所述第二方向延伸;
第四列线,所述第四列线设置在所述第三子区域中的所述第三行线上方,所述第四列线沿所述第二方向延伸;以及
第四行线,所述第四行线设置在所述第四子区域中的所述第三列线上方,所述第四行线沿所述第一方向延伸,
其中,
所述第三行线和所述第四行线通过第二接触件彼此联接,
所述第二列线和所述第三列线通过第三接触件彼此联接,并且
所述第一列线和所述第四列线通过第四接触件彼此联接。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,所述第二接触件至所述第四接触件设置在所述单元阵列区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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