[发明专利]一种新型大面积钙钛矿太阳能电池器件在审
| 申请号： | 201910609268.8 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110379925A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 彭勇;刘胜康;王武峰;王雷冲;杨蓉 | 申请（专利权）人： | 中山市武汉理工大学先进工程技术研究院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L27/30;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 邹建平 |
| 地址： | 528437 广东省中山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 太阳能电池 太阳能电池器件 电子传输层 空穴传输层 从上到下 电池单元 光电效率 新型器件 活性层 电阻 透明导电基板 并联式结构 串联式结构 并联连接 低成本 基板 串联 电池 局限 应用 | ||
1.一种新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：包括多个并联连接的电池单元，每一个电池单元分别由P-i-N结构和N-i-P结构的两个钙钛矿太阳能电池串联而成。
2.根据权利要求1所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：在一个电池单元中，P-i-N结构的钙钛矿太阳能电池包括由基板材料上依次设置的ITO导电层、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层及金属电极；N-i-P结构的包括由基板材料上依次设置的ITO导电层、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层及金属电极，P-i-N结构和N-i-P结构的两个钙钛矿太阳能电池通过ITO导电层相连形成串联连接关系。
3.根据权利要求1所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：在一个电池单元中，P-i-N结构的钙钛矿太阳能电池包括由基板材料上依次设置的金属电极、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层及ITO导电层；N-i-P结构的包括由基板材料上依次设置的金属电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层及ITO导电层，P-i-N结构和N-i-P结构的两个钙钛矿太阳能电池通过ITO导电层相连形成串联连接关系。
4.根据权利要求2或3所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：所述钙钛矿活性层由卤素艳盐、铅盐与甲咪胺盐反应而成。
5.根据权利要求4所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：所述钙钛矿活性层加热处理温度为160℃，反应时间为5min,卤素铯盐厚度为30nm，铅盐厚度为165nm。
6.根据权利要求2或3所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：所述电子传输层为富勒烯C60，所述空穴传输层分别为酞菁铜或spiro。
7.根据权利要求6所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：spiro的空穴传输层的厚度为200nm,富勒烯C60的电子传输层的厚度为20nm。
8.根据权利要求2或3所述的新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于：所述基板材料为ITO玻璃，所述金属电极为金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市武汉理工大学先进工程技术研究院，未经中山市武汉理工大学先进工程技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910609268.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
