[发明专利]高频放大电路及半导体装置

权利要求书

1.一种高频放大电路，具备放大电路和畸变补偿电路，

该放大电路具有：

第1晶体管，对栅极施加输入信号；

电感器，一方的端子与上述第1晶体管的源极连接，另一方的端子接地；和

第2晶体管，源极与上述第1晶体管的漏极连接，栅极接地，漏极与电源电压端子连接，从漏极输出将上述输入信号放大后的信号，

该畸变补偿电路具有：

第3晶体管，漏极及栅极连接，在漏极侧与上述电源电压端子连接；

第4晶体管，漏极及栅极与上述第3晶体管的源极连接，在源极侧接地；和

第1电容器，将如下节点与上述第3晶体管的源极之间连接，该节点是上述第1晶体管的漏极与上述第2晶体管的源极之间的节点。

2.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，还具备：

输入匹配电路，将上述第1晶体管的栅极与上述输入信号的输入端子连接，以及

输出匹配电路，将上述第2晶体管的漏极与上述电源电压端子及输出端子连接。

3.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第1电阻，将上述第4晶体管的源极与接地点连接，

上述第4晶体管的栅极宽度比上述第3晶体管的栅极宽度窄。

4.如权利要求3所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第2电容器，将上述节点与上述第4晶体管的源极连接，

上述第2电容器的静电电容比上述第1电容器的静电电容小。

5.如权利要求4所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第5晶体管，在上述第4晶体管的源极与上述第1电阻之间，漏极及栅极与上述第4晶体管的源极连接，源极与上述第1电阻连接；及

第3电容器，将上述节点与上述第5晶体管的源极连接，

上述第5晶体管的栅极宽度比上述第4晶体管的栅极宽度窄，

上述第3电容器的静电电容比上述第1电容器的静电电容小。

6.如权利要求4所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第2电阻，具有与上述第1电阻相同的电阻值，与上述第3晶体管并联地与上述电源电压端子连接；

第5晶体管，具有与上述第4晶体管相同的栅极宽度，漏极及栅极经由上述第2电阻而与上述电源电压端子连接，

第6晶体管，具有与上述第3晶体管相同的栅极宽度，漏极及栅极与上述第5晶体管的源极连接，源极接地；

第3电容器，具有与上述第1电容器相同的静电电容，将上述节点与上述第5晶体管的源极连接；及

第4电容器，具有与上述第2电容器相同的静电电容，将上述节点与上述第5晶体管的漏极连接。

7.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第1电阻，将上述第3晶体管的漏极与上述电源电压端子连接，

上述第3晶体管的栅极宽度比上述第4晶体管的栅极宽度窄。

8.如权利要求7所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第2电容器，将上述节点与上述第3晶体管的漏极连接，

上述第2电容器的静电电容比上述第1电容器的静电电容小。

9.如权利要求8所述的高频放大电路，其中，

上述畸变补偿电路还具备：

第5晶体管，在上述第3晶体管的漏极与上述第1电阻之间，漏极及栅极与上述第1电阻连接，源极与上述第3晶体管的漏极连接，及

第3电容器，将上述节点与上述第5晶体管的漏极连接，

上述第5晶体管的栅极宽度比上述第3晶体管的栅极宽度窄，

上述第3电容器的静电电容比上述第1电容器的静电电容小。