[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜

权利要求书

1.一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材与设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，其特征在于，

所述剥离剂层由含有活性能量射线固化性成分A、具有倍半硅氧烷骨架的化合物B及光聚合引发剂C的剥离剂组合物形成，

所述活性能量射线固化性成分A由1分子中平均具有至少3个(甲基)丙烯酰基的含羟基(甲基)丙烯酸酯a1、多元异氰酸酯化合物a2及1分子中具有至少1个羟基的直链状的二甲基有机聚硅氧烷a3反应而成，

所述活性能量射线固化性成分A不具有倍半硅氧烷骨架。

2.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述活性能量射线固化性成分A由所述含羟基(甲基)丙烯酸酯a1、所述多元异氰酸酯化合物a2及所述二甲基有机聚硅氧烷a3，以相对于所述(甲基)丙烯酸酯a1、所述多元异氰酸酯化合物a2及所述二甲基有机聚硅氧烷a3的总量，所述二甲基有机聚硅氧烷a3的量以质量比计为0.01以上、0.20以下的方式反应而成。

3.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述二甲基有机聚硅氧烷a3的数均分子量为500以上、100000以下。

4.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物B具有活性能量射线固化性基团。

5.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物B具有聚有机硅氧烷链。

6.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂组合物中，所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物B的含量相对于所述活性能量射线固化性成分A及所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物B的含量的总计的比为0.03以上、0.90以下。

7.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂组合物含有不具有聚有机硅氧烷链及倍半硅氧烷骨架的活性能量射线固化性化合物D。

8.根据权利要求7所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂组合物中，所述活性能量射线固化性化合物D的含量相对于所述活性能量射线固化性成分A、所述具有倍半硅氧烷骨架的化合物B及所述活性能量射线固化性化合物D的含量的总计的比为0.05以上、0.75以下。

9.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂层的、与所述基材为相反侧的面的表面自由能为15mJ/m²以上、35mJ/m²以下。

10.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂层的厚度为50nm以上、2000nm以下。

11.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述剥离剂层的、与所述基材为相反侧的面的最大突起高度Rp1为5nm以上、100nm以下。

12.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，所述基材的、与所述剥离剂层为相反侧的面的最大突起高度Rp2为30nm以上、500nm以下。

13.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，在所述基材与所述剥离剂层之间具备抗静电层。