[发明专利]一种防反接的可控硅整流线路

权利要求书

1.一种防反接的可控硅整流线路，其特征在于：包括第一防反整流单元和防反控制单元，其中：

第一防反整流单元包括隔离触发器U、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、可控硅Q2、电阻R1、电阻R2、以及由二极管D1和阳极与二极管D1负极连接的可控硅Q1组成的整流电路，其中，二极管D1的负极为整流电路的输入端P，可控硅Q1的阴极和二极管D1的正极分别为整流电路的两输出端（V1，V2），整流电路的输入端P还与二极管D2的正极连接，二极管D2的负极与可控硅Q2的阳极连接，二极管D2的负极还与电阻R2、可控硅Q2的控制极依次连接，可控硅Q2的阴极与电阻R1、整流电路的输出端V1依次连接，可控硅Q2的阴极还与可控硅Q1的控制极连接，可控硅Q2的控制极还与稳压二极管D3的负极连接，稳压二极管D3的正极与整流电路的输出端V1连接，整流电路的输出端V2与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极与可控硅Q2的阳极连接，可控硅Q2的控制极还与隔离触发器U的二次侧、整流电路的输出端V1依次连接；

防反控制单元包括一基极具有控制信号输入的NPN管T4、场效应管F、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、稳压二极管D10、电阻R7、电阻R8和电阻R9，二极管D5的正极与整流电路的输出端V1连接，二极管D5的负极与电阻R8、场效应管F的漏极依次连接，场效应管F的源极与隔离触发器U的一次侧、电阻R7以及NPN管T4的集电极依次连接，NPN管T4的发射极与整流电路的输出端V2连接，二极管D5的负极还与电阻R9、稳压二极管D10的负极依次连接，稳压二极管D10的负极还与场效应管F的栅极连接，稳压二极管D10的正极与二极管D8正极连接，二极管D8的负极和整流电路的输出端V2连接，二极管D9的正极与整流电路的输出端V2连接，二极管D9的负极与二极管D5的负极连接，二极管D6的正极与NPN管T4的集电极连接，二极管D6的负极与整流电路的输出端V1连接，二极管D7的正极与稳压二极管D10的正极连接，二极管D7的负极与整流电路的输出端V1连接。

2.根据权利要求1所述的防反接的可控硅整流线路，其特征在于：第一防反整流单元的数量为三个，三个第一防反整流单元的整流电路的输入端P分别接入三相电，三个第一防反整流单元的整流电路的输出端（V1，V2）并联，以进行三相整流时，三个第一防反整流单元的隔离触发器U的一次侧依次串联，且串联后一端与防反控制单元的场效应管F的源极连接，另一端与电阻R7、NPN管T4的集电极依次连接。