[发明专利]提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置在审
申请号: | 201910610959.X | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110344058A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 李嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;C23F1/46;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀液 过滤装置 金属导线 金属离子 使用寿命 刻蚀装置 喷淋槽 连通 过滤 槽容置 渗透膜 刻蚀 制程 | ||
一种提高金属导线制程中刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置,包括:提供一刻蚀喷淋槽以及与所述刻蚀喷淋槽连通的刻蚀液槽,所述刻蚀液槽容置有刻蚀液,所述刻蚀液槽还连通一过滤装置,所述过滤装置包括一渗透膜;采用所述过滤装置对所述刻蚀液槽中的所述刻蚀液进行金属离子过滤,使所述刻蚀液中的金属离子浓度在预定使用范围内;将过滤后的部分所述刻蚀液回流至所述刻蚀液槽。本发明能够调节刻蚀液中的金属离子浓度,进一步提高刻蚀液的使用寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置。
背景技术
目前TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器)越来越往超大尺寸、高频率驱动以及高分辨率等方面发展,如何有效降低面板导线电阻与寄生电容日趋重要。TFT-LCD在制作时,高质量的导线制程技术已经成为主宰薄膜晶体管组件与面板特性的关键。然而,在目前的金属导线刻蚀制程中,通常采用的刻蚀液为双氧水系,随着刻蚀的基板片数的增加,刻蚀液中的金属离子浓度也会不断的上升,而双氧水在金属离子的作用下会加速分解释放出氧气。进一步的,随着金属导线刻蚀过程中的不断进行,刻蚀液中的金属离子浓度也不断增大,双氧水的分解速率也越来越快,从而导致刻蚀液的稳定性下降,只能排放并重新更换新的刻蚀液,这样大大增加了制程成本。
综上所述,现有的提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置,在蚀刻金属膜层时,溶解的金属离子的积累会加速刻蚀液的分解,进而影响蚀刻效果,只能排放并重新更换新的刻蚀液,最终大大增加了制程成本。
发明内容
本发明提供一种提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置,能够调节刻蚀液中的金属离子浓度,以解决现有的提高金属导线制程中刻蚀液寿命的方法及金属导线刻蚀装置,在蚀刻金属膜层时,溶解的金属离子的积累会加速刻蚀液的分解,进而影响蚀刻效果,只能排放并重新更换新的刻蚀液,最终大大增加了制程成本的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置,包括:
S10,提供一刻蚀喷淋槽以及与所述刻蚀喷淋槽连通的刻蚀液槽,所述刻蚀液槽容置有刻蚀液,所述刻蚀液槽还连通一过滤装置,所述过滤装置包括一渗透膜;
S20,采用所述过滤装置对所述刻蚀液槽中的所述刻蚀液进行金属离子过滤,使所述刻蚀液中的金属离子浓度在预定使用范围内;
S30,将过滤后的部分所述刻蚀液回流至所述刻蚀液槽。
根据本发明一优选实施例,所述渗透膜的材质为醋酸纤维素、芳香聚酰胺以及高分子复合膜中的任意一种。
根据本发明一优选实施例,所述渗透膜的过滤孔径范围介于0.01纳米与1000纳米之间。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S20还包括:
S201,采用第一浓度检测装置测量所述刻蚀液槽中的所述刻蚀液的金属离子浓度,得到第一测试金属离子浓度;
S202,当所述第一测试金属离子浓度小于500ppm时,通过所述渗透膜往所述刻蚀液槽内释放金属离子,当所述第一测试金属离子浓度大于2000ppm时,所述渗透膜开始从所述刻蚀液槽内吸收金属离子,最终使得所述刻蚀液槽内的所述刻蚀液的金属离子浓度介于500ppm到2000ppm之间。
根据本发明一优选实施例,所述刻蚀液为双氧水系刻蚀液。
本发明还提供一种金属导线刻蚀装置,包括刻蚀喷淋槽、刻蚀液槽以及过滤装置,所述刻蚀液槽的一端与所述刻蚀喷淋槽连通,所述刻蚀液槽的相对另一端与所述过滤装置连通;其中,所述过滤装置包括一渗透膜,所述渗透膜用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。
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