[发明专利]一种CMOS图像传感器及图像处理方法、存储介质在审
申请号: | 201910611260.5 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110379824A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 贾伟;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三角形像素 存储介质 图像处理 放大电信号 光电二极管 光信号转换 单元连接 读出电路 六角阵列 单色光 排布 读出 吸收 申请 | ||
本申请实施例提供了一种CMOS图像传感器及图像处理方法、存储介质,该CMOS图像传感器包括:按照六角阵列排布的三角形像素单元,三角形像素单元中设置有光电二极管PD柱,三角形像素单元利用PD柱吸收RGB单色光,并将对应的光信号转换成电信号;与三角形像素单元连接的CMOS像素读出电路,用于放大电信号,并读出电信号。
技术领域
本申请涉及图像处理领域,尤其涉及一种CMOS图像传感器及图像处理方法、存储介质。
背景技术
常用的像素阵列主要是正方形像素排布而成,其像素是正方形结构,横向和纵向的周期也是相同的。
在现有技术中,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)图像传感器中的正方形像素单元内可以排布光电二极管(PhotoDiode,PD)结构进行光线吸收和光电转换。如图1所示,可以在每个正方形像素单元中设置一个PD结构,将正方形像素单元按照四角阵列的方式进行排布,利用正方向像素单元吸收对应的RGB单色光,使得像素单元的排布密度较低,进而导致CMOS图像传感器的像素密度低。
发明内容
本申请实施例提供一种CMOS图像传感器及图像处理方法、存储介质,能够提高像素单元的排布密度以及CMOS图像传感器的像素密度。
本申请的技术方案是这样实现的:
本申请实施例提供一种CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器包括:
按照六角阵列排布的三角形像素单元,所述三角形像素单元中设置有光电二极管PD柱,所述三角形像素单元利用所述PD柱吸收RGB单色光,并将对应的光信号转换成电信号;
与所述三角形像素单元连接的CMOS像素读出电路,用于放大所述电信号,并读出所述电信号。
在上述CMOS图像传感器中,所述三角形像素单元的六角阵列排布为汇聚于一点的六个三角形像素单元组成一个正六边形。
在上述CMOS图像传感器中,所述PD柱的尺寸是基于RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定的。
在上述CMOS图像传感器中,若所述RGB单色光为红光,所述PD柱的尺寸为支持吸收所述红光的第一尺寸;
若所述RGB单色光为绿光,所述PD柱的尺寸为支持吸收所述绿光的第二尺寸;
若所述RGB单色光为蓝光,所述PD柱的尺寸为支持吸收所述蓝光的第三尺寸。
在上述CMOS图像传感器中,所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。
在上述CMOS图像传感器中,所述CMOS像素读出电路包括:与所述PD柱连接的转移晶体管、与所述转移晶体管连接的读出区和与所述读出区连接的放大管;
所述转移晶体管,用于将所述电信号从所述PD柱中转移至读出区,以从所述读出区读取所述电信号;
所述放大管,用于将所述读出区的电信号放大。
在上述CMOS图像传感器中,所述CMOS像素读出电路还包括:与所述读出区和所述放大管连接的复位晶体管;
所述读出区,还用于读出所述复位晶体管中的复位电平;
所述放大管,还用于对所述复位电平进行放大。
本申请实施例提供一种图像处理方法,应用于由按照六角阵列排布的三角形像素单元和CMOS像素读出电路组成的CMOS图像传感器,所述三角形像素单元中设置有光电二极管PD柱,所述方法包括:
利用PD柱吸收RGB单色光,并将对应的光信号转换成电信号;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的