[发明专利]一种Sb2S3纳米棒的合成方法在审
申请号: | 201910611431.4 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110316756A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 杨琳;李丽丽;邓冲;富博文 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | C01G30/00 | 分类号: | C01G30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡澎 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米棒 氮气 氮气阀门 合成 抽真空 反应瓶 真空泵 油胺 加热 置换 退火 停止加热 高纯硫 结晶态 硫化锑 十八烯 注入法 硫源 溶解 | ||
本发明提供了一种Sb2S3纳米棒的合成方法,包括以下步骤:a、将高纯硫和油胺加入到反应瓶中,抽真空,边搅拌边加热;b、待温度达到60℃时,置换三次氮气;c、当温度达到90℃时,打开氮气阀门,关掉真空泵;直至硫全部溶解后,停止反应;d、将SbCl3加到反应瓶中,然后加入十八烯和油胺,抽真空,边搅拌边加热;e、待温度达到60℃时,置换三次氮气;f、当温度达到100℃时,打开氮气阀门,关掉真空泵,升温至200℃时,注入硫源,反应5~20分钟后停止加热,离心后即得纳米棒。本发明提供了一种热注入法合成硫化锑的方法,大大缩短了反应时间,而且不需要退火直接达到结晶态,工序更加简单。
技术领域
本发明涉及纳米材料制备技术领域,具体地说涉及一种Sb2S3纳米棒的合成方法。
背景技术
硫化锑(Sb2S3)是一种二元直接带隙化合物,由于其带隙覆盖了太阳光谱的范围,是一种理想的光伏材料。作为一种重要的V-VI族化合物,硫化锑因其良好的光伏特性、高热电功率、光谱响应和合适的价带位置,引起了人们的特别关注,其能带隙在1.5 ~ 2.2 eV之间,已广泛应用于太阳能电池和固态电池等各种领域,如具有光导靶的电视摄像机、热电制冷设备、电子和光电设备等。太阳能转换和可见光响应光催化研究表明,硫化锑的性质主要取决于其晶体结构、尺寸和形貌。因此,合成尺寸和形状可控的硫化锑(Sb2S3)材料对其应用具有重要意义。
现有的制备硫化锑(Sb2S3)纳米材料的方法主要有水热法、溅射法、化学浴法、旋涂法,上述制备方法虽然高效,应用广泛,但存在耗时、制备工艺繁琐、需后期退火使其完全结晶、退火过程中S的缺失等问题。如目前制备Sb2S3的水热法方法步骤主要有:(1)前驱体溶液的制备;(2)将前驱体移至特氟龙内衬不锈钢高压釜中;(3)将FTO玻璃放入高压釜;(4)将高压釜放入真空密闭的反应炉中,设置好反应温度时间;(5)停止反应后,待反应釜冷却至室温;(6)取出FTO玻璃,移至氮气氛围手套箱进行退火处理。水热法合成硫化锑纳米材料在反应前需配置前驱体溶液,进行较长时间的搅拌后将前驱体移至特氟龙内衬不锈钢高压釜中,在高温高压氛围下反应10-12个小时,冷却1-3小时,其制备工艺所用时间较长、成本较高,且需后期进行退火处理以达到结晶效果。在退火过程中,还存在S的缺失,需要后期进行S的补充。
发明内容
本发明的目的就是提供一种Sb2S3纳米棒的合成方法,以解决现有制备方法反应时间长、工序复杂、存在S缺失的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:一种Sb2S3纳米棒的合成方法,包括以下步骤:
a、将高纯硫和油胺依次加入到反应瓶中,打开真空泵抽真空,然后边搅拌边加热;
b、待温度达到60℃时,打开氮气阀门向反应瓶中充入氮气,之后再抽真空,如此置换三次氮气后继续升温;
c、当温度达到90℃时,抽真空至液体表面没有气泡,然后打开氮气阀门,关掉真空泵;直至反应瓶中的高纯硫全部溶解后,停止搅拌加热,冷却后即制备得到硫源,备用;
d、将SbCl3加到反应瓶中,然后加入十八烯和油胺,打开真空泵抽真空,然后边搅拌边加热;
e、待温度达到60℃~80℃时,打开氮气阀门向反应瓶中充入氮气,之后再抽真空,如此置换三次氮气后继续升温;
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