[发明专利]壳体组件及其制备方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 201910612407.2 申请日: 2019-07-08
公开(公告)号: CN110381185A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 邱惊龙 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: H04M1/02 分类号: H04M1/02;B44C5/04;H04M1/18
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 潘霞
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 粗糙区域 反射单元 壳体组件 装饰表面 电子设备 基底 制备 透明 种壳 覆盖 样式
【权利要求书】:

1.一种壳体组件,其特征在于,包括:

透明基底,具有装饰表面,所述装饰表面上设有多个间隔的粗糙区域;及

反射单元,设置在所述装饰表面上,所述反射单元覆盖每个所述粗糙区域,且覆盖相邻所述粗糙区域之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述粗糙区域的表面粗糙度为0.1μm~0.2μm;

及/或,所述粗糙区域的雾度为20%~40%。

3.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述反射单元包括依次层叠设置在所述装饰表面上的第一二氧化硅层、第一五氧化二铌层、第二二氧化硅层、单晶硅层、第三二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第四二氧化硅层;

或者,所述反射单元包括依次层叠设置在所述装饰表面上的硅层、第一钛层、铜层及第二钛层。

4.根据权利要求3所述的壳体组件,其特征在于,所述第一二氧化硅层的厚度为8nm~12nm,所述第一五氧化二铌层的厚度为68nm~72nm,所述第二二氧化硅层的厚度为88nm~92nm,所述单晶硅层的厚度为83nm~87nm,所述第三二氧化硅层的厚度为42nm~46nm,所述第二五氧化二铌层的厚度为50nm~54nm,所述第四二氧化硅层的厚度为8nm~12nm;

或者,所述硅层的厚度为3nm~7nm,所述第一钛层的厚度为6nm~10nm,所述铜层的厚度为18nm~22nm,所述第二钛层的厚度为48nm~52nm。

5.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述壳体组件还包括膜层单元,所述膜层单元设置在所述透明基底靠近所述反射单元的一侧,且覆盖所述反射单元。

6.一种壳体组件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供透明基底,所述透明基底具有装饰表面;

在所述装饰表面上形成多个间隔的粗糙区域;及

在所述装饰表面上形成反射单元,所述反射单元覆盖每个所述粗糙区域,且覆盖相邻所述粗糙区域之间的间隙,得到壳体组件。

7.根据权利要求6所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,所述在所述装饰表面上形成多个间隔的粗糙区域的步骤包括:

在所述装饰表面上预设油墨区域及多个间隔的待装饰区域,所述油墨区域围绕每个所述待装饰区域设置;

在所述油墨区域形成第一油墨层;

对所述装饰表面进行蒙砂处理,然后去除所述第一油墨层,以使每个所述待装饰区域粗糙化,以形成所述粗糙区域。

8.根据权利要求7所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,在所述油墨区域形成第一油墨层的步骤包括:

在所述油墨区域丝网印刷第一油墨;

在所述装饰表面上形成保护膜,并使所述保护膜完全覆盖所述待装饰区域;

在所述透明基底的未形成有所述保护膜的区域喷涂第二油墨;及

去除所述保护膜,得到第一油墨层。

9.根据权利要求7所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,所述对所述装饰表面进行蒙砂处理的步骤之后,所述去除所述第一油墨层的步骤之前,还包括如下步骤:对蒙砂处理后的所述装饰表面进行化学抛光处理。

10.根据权利要求6~9任一项所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,所述在所述装饰表面上形成多个间隔的粗糙区域的步骤之后,还包括如下步骤:对形成有所述粗糙区域的所述透明基底进行强化处理。

11.根据权利要求6~9任一项所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,所述在所述装饰表面上形成反射单元的步骤包括:

在所述装饰表面上形成第二油墨层,并使每个所述粗糙区域至少部分露出,且使所述间隙露出;及

对所述装饰表面进行镀膜处理,然后去除所述第二油墨层,形成所述反射单元。

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