[发明专利]晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法在审
| 申请号： | 201910612418.0 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110156333A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 姜宏;蒲华俊;赵会峰;符有杰;王琦;王嘉健;曾淋林 | 申请（专利权）人： | 海南中航特玻科技有限公司 |
| 主分类号： | C03C10/04 | 分类号： | C03C10/04;C03B25/00;C03B19/02;C03B5/16 |
| 代理公司： | 洛阳明律专利代理事务所(普通合伙) 41118 | 代理人： | 卢洪方 |
| 地址： | 571924 海南省澄迈县老城高新*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微晶玻璃 电场 退火 样品两端 配合料 制备 生长 氯化钠 建筑材料技术领域 保温热处理 质量百分比 保温阶段 二氧化钛 氟硅酸钠 基础玻璃 绿色环保 高炉渣 高温炉 规则形 透辉石 退火炉 氧化镁 主晶相 温热 浇注 放入 硅砂 熔融 脱模 形核 精密 调控 应用 | ||
1.一种晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法，其特征在于：微晶玻璃配合料的组成及质量百分比分别为：高炉渣45~57%，硅砂 28~36%，氯化钠 1.8~2.6%，二氧化钛 2~2.8%，氟硅酸钠 5.5~7.3%，氧化镁 4~6.5%，按照配合料组成和质量百分比称量原料并充分混合均匀；混合均匀的配合料在高温炉中于1480~1520℃熔融1.5~4.0小时，随后将熔制均匀的玻璃液浇注在已预热的模具中，脱模后放入已设定温度为560~600℃的精密退火炉中进行退火1~2h；将退火后的微晶玻璃在690~710℃形核保温阶段保温热处理1.5~2.5h，其间在样品两端加上9wv/m~17wv/m的电场，使基础玻璃在电场的调控下规则形核；然后继续升温至830~860℃保温热处理2~3h，其间在样品两端加上2wv/m~8wv/m的电场，使晶核在电场调控下生长，得到晶体有序生长的微晶玻璃；所述的微晶玻璃主晶相为透辉石。
2.如权利要求1所述的一种晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法，其特征在于：所述的高炉渣为炼钢尾矿，其基础成分及质量百分比为：SiO2：25.7%，Al2O3：15.8，CaO：42.8%，Na2O：0.7%，K2O：0.5%，Fe2O3：0.3%，MgO：10.2%，TiO2：0.9%，MnO：0.6%，SO3：2. 5%。
3.如权利要求1所述的一种晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法，其特征在于：690~710℃保温形核阶段外加电场强度应控制在12wv/m~15wv/m。
4.如权利要求1所述的一种晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法，其特征在于：830~860℃晶体生长保温阶段外加电场强度应控制在4wv/m~7wv/m。
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