[发明专利]壳体组件及其制备方法和电子设备有效
申请号: | 201910612608.2 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110365823B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 邱惊龙 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H04M1/02 | 分类号: | H04M1/02;B41M1/12;B41M1/34;B41M5/00;B41M7/00;C23C14/02;C23C14/04;C23C14/18;C23C28/00;C25D5/02;C25D5/54;C25D9/04 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 潘霞 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 壳体 组件 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种壳体组件,其特征在于,包括:
透明基底,具有装饰表面,所述装饰表面上设有粗糙区域;及
反射层,设置在所述装饰表面上,并覆盖至少部分所述粗糙区域;
所述反射层包括依次层叠设置在所述装饰表面上的第一二氧化硅层、第一五氧化二铌层、第二二氧化硅层、单晶硅层、第三二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第四二氧化硅层,所述第一二氧化硅层的厚度为8nm~12nm,所述第一五氧化二铌层的厚度为68nm~72nm,所述第二二氧化硅层的厚度为88nm~92nm,所述单晶硅层的厚度为83nm~87nm,所述第三二氧化硅层的厚度为42nm~46nm,所述第二五氧化二铌层的厚度为50nm~54nm,所述第四二氧化硅层的厚度为8nm~12nm;
或者,所述反射层包括依次层叠设置在所述装饰表面上的硅层、第一钛层、铜层及第二钛层,所述硅层的厚度为3nm~7nm,所述第一钛层的厚度为6nm~10nm,所述铜层的厚度为18nm~22nm,所述第二钛层的厚度为48nm~52nm。
2.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述粗糙区域的表面粗糙度为0.1μm~0.2μm。
3.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述粗糙区域的雾度为20%~40%。
4.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述反射层与所述粗糙区域完全重合。
5.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述装饰表面上还具有非粗糙区域,所述非粗糙区域围绕所述粗糙区域设置,所述反射层至少部分覆盖所述非粗糙区域。
6.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述透明基底的厚度为0.5mm~0.7mm。
7.根据权利要求1~5任一项所述的壳体组件,其特征在于,所述壳体组件还包括膜层单元,所述膜层单元覆盖所述透明基底靠近所述反射层的一侧,且覆盖所述反射层。
8.一种壳体组件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供透明基底,所述透明基底具有装饰表面;
在所述装饰表面上形成粗糙区域;及
在所述装饰表面上形成反射层,且所述反射层覆盖至少部分所述粗糙区域,得到壳体组件;
所述在所述装饰表面上形成反射层的步骤包括:在所述装饰表面上形成依次层叠的第一二氧化硅层、第一五氧化二铌层、第二二氧化硅层、单晶硅层、第三二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第四二氧化硅层,所述第一二氧化硅层的厚度为8nm~12nm,所述第一五氧化二铌层的厚度为68nm~72nm,所述第二二氧化硅层的厚度为88nm~92nm,所述单晶硅层的厚度为83nm~87nm,所述第三二氧化硅层的厚度为42nm~46nm,所述第二五氧化二铌层的厚度为50nm~54nm,所述第四二氧化硅层的厚度为8nm~12nm,得到所述反射层;或者,所述在所述装饰表面上形成反射层的步骤包括:在所述装饰表面上形成依次层叠的硅层、第一钛层、铜层及第二钛层,得到所述反射层,所述硅层的厚度为3nm~7nm,所述第一钛层的厚度为6nm~10nm,所述铜层的厚度为18nm~22nm,所述第二钛层的厚度为48nm~52nm。
9.根据权利要求8所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,所述在所述装饰表面上形成粗糙区域的步骤包括:对所述装饰表面进行蒙砂处理以形成所述粗糙区域。
10.根据权利要求9所述的壳体组件的制备方法,其特征在于,所述对所述装饰表面进行蒙砂处理以形成所述粗糙区域的步骤包括:
在所述装饰表面的部分区域形成第一油墨层;及
对所述装饰表面进行蒙砂处理,然后去除所述第一油墨层,以使所述装饰表面的未形成有所述第一油墨层的区域形成所述粗糙区域。
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