[发明专利]白钨矿相的DyCrO4

权利要求书

1.一种磁电传感器单元，包括：

衬底；

位于衬底上的下电极；

位于下电极上的介质层；和

位于介质层上的上电极；

其中，所述介质层由白钨矿相的DyCrO₄形成。

2.根据权利要求1所述的磁电传感器单元，其中，所述衬底由硅、碳化硅、二氧化硅或氧化铝形成。

3.根据权利要求1所述的磁电传感器单元，其中，所述下电极由Pt、Ag、Ni、Ti、Cu、Au和Poly-Si中的一种或者多种组成的合金形成；

优选地，所述上电极由Pt、Ag、Ni、Ti、Cu、Au和Poly-Si中的一种或者多种组成的合金形成；

优选地，所述白钨矿相的DyCrO₄的空间群为I4₁/a，晶格常数为

优选地，所述白钨矿相的DyCrO₄的反铁磁转变温度为24开尔文。

4.一种制备权利要求1-2中任一项所述的磁电传感器单元的方法，包括如下步骤：

(1)在衬底上形成下电极；

(2)以白钨矿相的DyCrO₄为靶材，在所述下电极上形成介质层；

(3)在所述介质层上形成上电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述步骤(1)中形成下电极是通过溅射、电子束蒸发或者混胶涂抹进行的。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述步骤(2)中形成介质层是通过脉冲激光沉积、溅射或者块材打磨抛光进行的。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述步骤(3)中形成上电极是通过溅射、电子束蒸发或者混胶涂抹进行的。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述白钨矿相的DyCrO₄是通过包括如下步骤的方法制备的：

a.将Dy(NO₃)₃和Cr(NO₃)₃按1:1的摩尔比混合，并且充分研磨；

b.将研磨后的混合物煅烧；

c.将经过步骤b处理后的产物研磨成粉末，再次煅烧；

d.将经过步骤c处理后的产物密封后，进行合成，降温卸压至室温环境后得到白钨矿相的DyCrO₄。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述步骤a中的研磨进行0.5-2小时；

优选地，所述步骤b中的煅烧是在500～600℃的空气氛围中煅烧1-2小时；

优选地，所述步骤c中的煅烧是在250-350℃的氧气氛围中煅烧4-6小时；

优选地，所述步骤d中密封是通过采用金或铂金胶囊进行的；更优选地，所述金或铂金胶囊的厚度为0.1～1.0mm；

优选地，所述步骤d中的合成是在六面顶压机中进行的；

优选地，所述步骤d中的合成所使用的温度为500～600℃，合成所使用的压力为6-10GPa，合成进行30-60分钟。