[发明专利]锑掺杂的硅和硅锗膜的原位制备的方法

权利要求书

1.一种工艺，包括：

暴露半导体结构的表面；以及

在所述半导体结构的表面之上流动锑源气体和硅源气体或所述硅源气体和锗源气体的组合，从而通过化学气相沉积在不大于900℃的温度下沉积锑掺杂的含硅层。

2.如权利要求1所述的工艺，其中所述锑源气体包括以下中的一种或多种：三甲基锑(TMSb)和三乙基锑(TESb)。

3.如权利要求1所述的工艺，其中所述硅源气体包括以下中的一种或多种：硅烷、二硅烷、三氯硅烷(TCS)、二氯硅烷(DCS)、一氯硅烷(MCS)、甲基硅烷，以及四氯化硅。

4.如权利要求1所述的工艺，其中所述锗源气体包括锗烷。

5.如权利要求1所述的工艺，其中所述锑掺杂的含硅层被沉积到通过移除牺牲层而形成的腔中。

6.如权利要求1所述的工艺，还包括：

在所述半导体结构上方形成n型半导体层；以及

在退火所述锑掺杂的含硅层之前，在高于800℃的温度下退火所述n型半导体层。

7.如权利要求1所述的工艺，其中所述温度不大于800℃。

8.如权利要求1所述的工艺，其中所述温度不大于750℃。

9.如权利要求1所述的工艺，其中锑掺杂的含硅层具有1.0×10¹⁶cm^-3至1.0×10²¹cm^-3之间的浓度。

10.如权利要求1所述的工艺，其中锑掺杂的含硅层具有1.0×10¹⁶cm^-3至1.0×10¹⁹cm^-3之间的浓度。

11.一种储存晶体管，包括：

第一n掺杂的多晶硅层和第二n掺杂的多晶硅层，所述第一n掺杂的多晶硅层和第二n掺杂的多晶硅层分别充当所述储存晶体管的漏极区和源极区；

一个或多个原位锑掺杂的含硅层，所述锑掺杂的含硅层中的至少一个与所述第一n掺杂的多晶硅层和第二n掺杂的多晶硅层中的一个相邻；

本征或轻掺杂的p掺杂的半导体层，其在所述第一n掺杂的多晶硅层和第二n掺杂的多晶硅层之间，其充当所述储存晶体管的沟道区；

导体，其充当所述储存晶体管的栅电极；以及

电荷储存层，其在所述本征或轻掺杂的p掺杂的半导体层之间。

12.如权利要求11所述的储存晶体管，其中所述储存晶体管与相邻类似储存晶体管共用所述第一n掺杂的多晶硅层和第二n掺杂的多晶硅层，其中所述储存晶体管的沟道区和所述类似储存晶体管的沟道区由p掺杂的半导体层分开。

13.如权利要求11所述的储存晶体管，其中所述锑掺杂的含硅层中的每一个使用包括以下步骤的工艺形成：

暴露半导体结构的表面；以及

在所述半导体结构的表面之上流动锑源气体和硅源气体或所述硅源气体和锗源气体的组合，从而通过化学气相沉积在不大于900℃的温度下沉积锑掺杂的含硅层。

14.如权利要求13所述的储存晶体管，其中所述锑源气体包括以下中的一种或多种：三甲基锑(TMSb)和三乙基锑(TESb)。

15.如权利要求13所述的储存晶体管，其中所述硅源气体包括以下中的一种或多种：硅烷、二硅烷、三氯硅烷(TCS)、二氯硅烷(DCS)、一氯硅烷(MCS)、甲基硅烷，以及四氯化硅。

16.如权利要求13所述的储存晶体管，其中所述锗源气体包括锗烷。