[发明专利]一种固态硬盘读写请求并行处理方法有效
申请号: | 201910614795.8 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110515859B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 姚英彪;孔小冲;范金龙;冯维;许晓荣;刘兆霆;徐欣 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0882;G06F12/0895 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 朱月芬 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 固态 硬盘 读写 请求 并行 处理 方法 | ||
本发明公开了一种固态硬盘读写请求并行处理方法。本发明由地址映射模块、通道分配模块、通道队列模块、待处理队列模块、数据缓冲区和垃圾回收模块六部分组成。在预处理过程中,对于读写请求,计算对应的读写通道,然后发送到通道对应的读写队列;在闪存访问过程中,根据请求到达顺序从各个通道的读写队列中并行调度;对于垃圾回收,采用主动与被动相结合的方式,以减少垃圾回收对固态硬盘读写性能的影响。本发明利用固态硬盘内部的通道级并行结构,以页为单位,通过合理调度以实现数据写入和读出最大化并行,从而极大程度减少请求的平均响应时间,提升系统整体性能。
技术领域
本发明属于固态硬盘固件优化设计领域,具体涉及了一种固态硬盘读写请求并行处理方法。
背景技术
随着云计算、移动互联网等新一代信息技术的快速发展,数据量呈现指数增长的趋势,因此对数据的存储速度和带宽提出了更高的要求。基于NAND闪存的固态硬盘由于其高性能、低功耗、无噪声等诸多优点称为目前主流的存储设备之一。
固态硬盘采用的NAND闪存具有以下特点:1)以页(page)、块(block)、平面(plane)、晶圆(die)从小到大嵌套组成。2)基本操作分为:读、写、擦除,读与写以页为单位,擦除以块为单位。3)读、写、擦除三种操作的响应时间不同,读最快,写次之,擦除最慢。4)写入数据前必须进行擦除,不支持原地更新。5)擦除次数有限,超过一定的擦除次数,NAND闪存的整体性能就会大幅下降,使用寿命有限。
由于闪存芯片独特的操作特点,固态硬盘需要在固件中增加闪存转换层(FlashTranslation Layer,FTL)来管理数量众多的闪存芯片。闪存转换层将固态硬盘模拟成只具有读写操作的传统硬盘,将上层文件系统的读写请求转换为闪存的操作命令。具体来说,闪存转换层需要完成逻辑地址与物理地址之间的映射,控制各个闪存芯片的磨损均衡,对无效的数据进行垃圾回收。
固态硬盘内部拥有丰富的内部并行机制。一般的固态硬盘由多个独立通道组成,每个独立通道连接多个独立的闪存芯片;每个芯片包含多个晶圆;每个晶圆包含多个平面;每个平面包含多个块,每个块包含多个页。因此固态硬盘内部包括通道级并行、芯片级并行、晶圆级并行和平面级并行。在闪存转换层对请求处理的过程中,利用闪存内部并行机制,让读写请求并行地访问闪存,将大幅度减少请求响应时间。
发明内容
针对上述现有技术的不足之处,本发明公布一种固态硬盘读写请求并行处理方法。本发明利用固态硬盘内部的通道级并行结构,以页为单位,通过合理调度以实现数据写入和读出最大化并行,从而极大程度减少请求的平均响应时间,提升系统整体性能。
为实现本发明的目的,本发明采用以下技术方案:
一种固态硬盘读写请求并行处理方法,它由地址映射模块、通道分配模块、通道队列模块、待处理队列模块、数据缓冲区和垃圾回收模块六部分组成。地址映射模块负责实现请求的逻辑地址到物理地址的映射,采用页级映射方式,由地址映射表和页分配模块组成;通道分配模块负责计算请求中每个页实际需要访问的通道;通道队列模块由每个通道的队列组成,每个通道的队列分为读请求队列和写请求队列,读写访问请求以页为单位插入到通道的读写队列;待处理队列保存通道分配完成、但实际闪存读写未全部完成的请求,按先进先出的方式完成待处理队列的调度;数据缓冲区用来暂存从闪存中读出的数据;垃圾回收模块负责固态硬盘无效块的回收,完成垃圾回收操作。
一种固态硬盘读写请求并行处理方法,其处理流程包括预处理,闪存访问和垃圾回收三个过程,且三个过程可并行执行,其具体步骤如下。
当有新的读写请求到达,且待处理队列不满时,触发预处理流程,其具体工作过程如下:
P1,判断到达请求类型:若是读请求,执行P2;否则为写请求,执行P4。
P2,调用地址映射模块,访问地址映射表,获取读请求每个逻辑页对应的物理页号PPN。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910614795.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。