[发明专利]一种微电极及其制备方法和神经假体在审
| 申请号： | 201910615257.0 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110314279A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 曾齐;吴天准 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;A61N1/36;A61N1/362;A61B5/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电极 导电层 柔性层 枝晶 生物相容性 电流导引 电学性能 焦点电极 神经假体 使用寿命 虚拟电极 记录点 电极 分辨率 位点 修饰 制备 刺激 暴露 创建 应用 | ||
1.一种微电极，其特征在于，包括柔性层、导电层和多个枝晶铂结构，所述导电层设置在所述柔性层中，所述柔性层表面上设置有多个凹槽以暴露部分所述导电层，每一所述凹槽内设置有一所述枝晶铂结构。
2.如权利要求1所述的微电极，其特征在于，所述枝晶铂结构上还设置有导电聚合物层，所述导电聚合物层的厚度为0.1μm-20μm。
3.如权利要求2所述的微电极，其特征在于，所述导电聚合物层的材质包括聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩及其衍生物和导电水凝胶中的至少一种。
4.如权利要求1所述的微电极，其特征在于，相邻所述凹槽之间的间距为10μm-1000μm。
5.如权利要求1所述的微电极，其特征在于，多个所述枝晶铂结构呈阵列排布。
6.如权利要求1所述的微电极，其特征在于，所述枝晶铂结构由多个枝晶铂形成，所述枝晶铂包括铂纳米线、铂纳米棒、铂纳米锥和铂纳米花中的至少一种。
7.如权利要求1所述的微电极，其特征在于，所述枝晶铂结构中所述枝晶铂的分布密度为10个/μm2-300个/μm2。
8.一种微电极的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底上制备第一柔性层；
通过掩膜在所述第一柔性层上制备导电层；
在所述导电层上沉积第二柔性层，所述第二柔性层部分覆盖在所述导电层表面，部分覆盖在所述第一柔性层表面；
刻蚀所述第二柔性层以暴露部分所述导电层，并形成多个凹槽；
去除所述基底，并在多个所述凹槽中沉积枝晶铂结构，即可得到微电极。
9.如权利要求8所述的微电极的制备方法，其特征在于，所述在多个所述凹槽中沉积枝晶铂结构后，还包括采用原位法或模板法在所述枝晶铂结构上沉积导电聚合物层。
10.一种神经假体，包括如权利要求1-7任一项所述的或权利要求8-9任一项所述的制备方法制得的微电极。
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