[发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法

权利要求书

1.一种具有多个记忆体单元的SRAM模块，其特征在于，所述SRAM模块包括：

一位元线，耦接至所述多个记忆体单元，用于传输写入数据；

一检测单元，耦接至所述多个记忆体单元，用于通过检测所述多个记忆体单元上的电压变化来产生一控制信号；

一电容，耦接至所述位元线；以及

一充电单元，耦接至所述检测单元与所述电容，用于根据所述控制信号对所述电容充电；

其中，在所述电容充电后，所述电容的两端之间的电压差被用于在所述位元线上产生一压降；以及

其中，所述多个记忆体单元形成一等效电容，所述等效电容具有一端电压，并且所述检测单元通过检测所述端电压的变化来改变所述控制信号的电平，从而启动所述充电单元对所述电容充电。

2.根据权利要求1所述的SRAM模块，其特征在于，所述SRAM模块还包括：

一记忆体模拟单元，其具有与所述多个记忆体单元的个数相关的一特征值；其中，所述检测单元耦接至所述记忆体模拟单元，并且用以根据所述特征值产生所述控制信号。

3.根据权利要求2所述的SRAM模块，其特征在于，所述记忆体模拟单元形成一等效电容，并且所述特征值是所述等效电容的电容值。

4.根据权利要求3所述的SRAM模块，其特征在于，所述电容的一充电时间与所述电容值成比例。

5.根据权利要求2所述的SRAM模块，其特征在于，所述记忆体模拟单元包括多个虚拟记忆体单元，并且所述多个虚拟记忆体单元的个数，与连接至所述位元线的所述多个记忆体单元的个数成比例。

6.根据权利要求1所述的SRAM模块，其特征在于，所述SRAM模块还包括：

一重置单元，耦接至所述电容，用于根据一重置信号将所述电容的一端耦接至地，以使所述电容的另一端上产生所述压降。

7.根据权利要求6所述的SRAM模块，其特征在于，当所述重置单元被所述重置信号启动时，所述电容的所述一端的电压电平被下拉至地，使得所述电容上的所述电压差在所述位元线上产生负压。

8.根据权利要求1所述的SRAM模块，其特征在于，所述检测单元包括一放电单元，所述放电单元根据一致能信号使所述多个记忆体单元的电压放电。

9.根据权利要求8所述的SRAM模块，其特征在于，所述放电单元使所述多个记忆体单元的电压放电，以启动所述充电单元，从而对所述电容充电。

10.根据权利要求1所述的SRAM模块，其特征在于，所述电容是N型金氧半场效晶体管电容或P型金氧半场效晶体管电容。

11.一种控制具有多个记忆体单元的SRAM模块的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过检测所述多个记忆体单元上的电压变化来产生一控制信号；

根据所述控制信号对耦接至一位元线的一电容充电，其中所述位元线还耦接至所述多个记忆体单元；以及

利用所述电容的两端之间的一电压差，在所述电容充电后，使所述位元线上产生一压降；以及

其中，所述多个记忆体单元形成具有一端电压的一等效电容，并且产生所述控制信号的步骤包括：

通过检测所述端电压的变化来改变所述控制信号的电平，从而对所述电容充电。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述SRAM模块包括一记忆体模拟单元，其具有与所述多个记忆体单元的个数相关的一特征值，并且产生所述控制信号的步骤包括：

根据所述特征值产生所述控制信号。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述记忆体模拟单元形成一等效电容，并且所述特征值是所述等效电容的电容值。