[发明专利]具有多级转移栅极的CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器像素，其包括：

第一电荷存储节点，其经配置以具有第一电荷存储电势；

第二电荷存储节点，其经配置以具有第二电荷存储电势且从所述第一电荷存储节点接收电荷，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；及

转移电路，其耦合于所述第一电荷存储节点与所述第二电荷存储节点之间，其中所述转移电路包括至少三个转移区域，其中：

第一转移区域接近所述第一电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第一转移电势；

第二转移区域耦合于所述第一转移区域与第三转移区域之间且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第二转移电势；及

所述第三转移区域接近所述第三电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第三转移电势。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中：

所述第一转移区域包括经配置以控制所述第一转移电势的第一输入电极；

所述第二转移区域包括经配置以控制所述第二转移电势的第二输入电极；

所述第三转移区域包括经配置以控制所述第三转移电势的第三输入电极；且

所述第一输入电极、所述第二输入电极及所述第三输入电极与彼此电隔离。

3.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一转移电势、所述第二转移电势及所述第三转移电势基本上相同。

4.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一转移电势低于所述第二转移电势。

5.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第二转移电势低于所述第三转移电势。

6.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一电荷存储节点包括安置于半导体衬底中的光电二极管。

7.根据权利要求6所述的图像传感器像素，其中所述第二电荷存储节点包括安置于所述半导体衬底中的浮动扩散节点。

8.根据权利要求7所述的图像传感器像素，其中所述转移电路包括形成在所述半导体衬底上的场效晶体管的改性栅极。

9.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中所述场效晶体管的所述改性栅极被划分成与彼此隔离的至少三个邻近区域，其中第一区域与所述第一转移区域相关联且包括所述第一输入电极，第二区域与所述第二转移区域相关联且包括所述第二输入电极，且第三区域与所述第三转移区域相关联且包括所述第三输入电极。

10.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中所述场效晶体管的所述改性栅极定位在所述半导体衬底的共同掺杂区域之上。

11.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一输入电极、所述第二输入电极及所述第三输入电极包括多晶硅、金属及金属化合物中的至少一者。