[发明专利]III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法有效
| 申请号： | 201910617944.6 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110714190B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 | ||
1.一种III族氮化物基板，其具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在所述表面与所述背面之间的内层，其中，
所述基材部的所述表面的碳浓度比所述内层的碳浓度高，
所述基材部的表面的碳浓度为5×1019原子/cm3以上，
所述基材部的表面的氧浓度为1×1020原子/cm3以上。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部的表面为用于使III族氮化物结晶在其上生长的面。
3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部的所述表面的氧浓度比所述内层的氧浓度低。
4.根据权利要求2所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部的所述表面为+c面，所述基材部的所述背面为-c面。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部的表面的碳浓度为1.5×1020～5×1020原子/cm3的范围内，
所述基材部的表面的氧浓度为1×1020～1×1021原子/cm3的范围内。
6.根据权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部的内层侧的氧浓度为1×1020～1×1021原子/cm3的范围内，
所述基材部的内层侧的碳浓度为1×1017～5×1020原子/cm3的范围内。
7.根据权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部中的碳浓度沿着从所述表面向所述背面的厚度方向逐渐变化。
8.根据权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，所述基材部中的氧浓度沿着从所述表面向所述背面的厚度方向逐渐变化。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
