[发明专利]发光二极管混光结构在审
| 申请号： | 201910618444.4 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112216683A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 邢陈震仑;洪雅钰;魏浩哲 | 申请（专利权）人： | 葳天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/50;F21K9/20;F21V9/45 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 张燕华;王馨仪 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管混光结构，其特征在于，包括：
一单一封装体；
至少二个发光二极管芯片，配置于该单一封装体之内，且各该发光二极管芯片所发出的光强度峰值的对应波长彼此相差至少10nm；以及
一荧光层，配置于该单一封装体的内部空间，且覆设于该至少二个发光二极管芯片上，该荧光层均匀混和有对应彼此不同的允许激发波段的至少一种荧光粉与胶体，各该荧光粉同时吸收各该发光二极管芯片所发出的光强度峰值之后，该荧光层输出一混光光谱；
其中，该混光光谱中色温值大于或等于4000K的波长范围内，属于蓝光区间的光强度峰值的最大值占整个波长范围内强度积分值的75％。
2.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，该混光光谱的色温值为4000K时，该混光光谱对应CIE1931规范的色度坐标的容许四边形角点坐标分别为:(0.4006,0.4044)、(0.3736,0.3874)、(0.3670,0.3578)与(0.3898,0.3716)。
3.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，该混光光谱的色温值为4500K时，该混光光谱对应CIE1931规范的色度坐标的容许四边形角点坐标分别为:(0.3736,0.3874)、(0.3515,0.3487)、(0.3551,0.3760)与(0.3670,0.3578)。
4.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，该混光光谱的色温值为5000K时，该混光光谱对应CIE1931规范的色度坐标的容许四边形角点坐标分别为:(0.3551,0.3760)、(0.3376,0.3616)、(0.3366,0.3369)与(0.3515,0.3487)。
5.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，该混光光谱的色温值为5700K时，该混光光谱对应CIE1931规范的色度坐标的容许四边形角点坐标分别为:(0.3376,0.3616)、(0.3207,0.3462)、(0.3222,0.3243)与(0.3366,0.3369)。
6.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，该混光光谱的色温值为6500K时，该混光光谱对应CIE1931规范的色度坐标的容许四边形角点坐标分别为:(0.3207,0.3462)、(0.3038,0.3308)、(0.3078,0.3117)与(0.3222,0.3243)。
7.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，各该发光二极管芯片所发出的光强度峰值的对应波长彼此相差20nm至30nm之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管混光结构，其特征在于，各该荧光粉的允许激发波段的最大值与最小值的平均值彼此相差至少5nm。
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