[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910618466.0 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110957353A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;谢宗霖;林柏廷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/04;H01L29/778;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一基板；
一GaN层，在该基板之上；
一Al1-xGaxN层，直接在该GaN层之上，该Al1-xGaxN层具有铁电性质；
一栅极电极，在该Al1-xGaxN层之上；以及
一源极/漏极结构，在该GaN层之上，且邻接于该栅极电极。
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