[发明专利]陶瓷结构件的制备方法、陶瓷结构件及电子设备

权利要求书

1.一种陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取陶瓷坯体；

在所述陶瓷胚体的内表面所在一侧层叠设置多层增透膜，并使相邻两层所述增透膜的折射率呈现高低分布以形成增透层；以及

在所述增透层远离所述陶瓷胚体的一侧喷涂色漆涂层。

2.根据权利要求1所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，所述获取陶瓷坯体，包括如下步骤：

将70～99重量份的陶瓷原料粉末与1～30重量份的粘结剂进行混合，得到陶瓷浆料；

所述陶瓷浆料通过注射成型、流延、或者干压成型，以获得陶瓷生坯；

对所述陶瓷生坯进行排胶脱脂，以去除有机成分；

将经过排胶脱脂的陶瓷生坯置于还原性或氧化或惰性气氛中进行烧结，烧结温度控制在1200℃以上，烧结时间控制在0.5h～10h，以获得陶瓷烧结坯；

对所述陶瓷烧结坯进行CNC加工、打磨抛光，以得到陶瓷坯体。

3.根据权利要求1所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，在所述陶瓷胚体的内表面所在一侧层叠设置多层增透膜的步骤中，使得相邻两层所述增透膜中的一者的折射率为1.43～1.46，另一者的折射率为2.25～2.35。

4.根据权利要求1所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，所述在所述陶瓷胚体的内表面所在一侧层叠设置多层增透膜，并使相邻两层所述增透膜的折射率呈现高低分布以形成增透层的步骤，具体为：

采用真空镀膜的方式在所述陶瓷胚体的内表面形成所述增透层。

5.根据权利要求4所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，所述采用真空镀膜的方式在所述陶瓷胚体的内表面形成所述增透层，包括如下步骤：

将所述陶瓷胚体置入真空腔室；

向所述真空腔室通入氧气，以通过磁控溅射的方式在所述陶瓷胚体的内表面沉积并形成所述增透层。

6.根据权利要求5所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，在所述将所述陶瓷胚体置入真空腔室的步骤之后，以及在所述向所述真空腔室通入氧气的步骤之前，所述采用真空镀膜的方式在所述陶瓷胚体的内表面形成所述增透层还包括如下步骤：

向所述真空腔室内通入惰性气体，开启脉冲偏压电源，对所述陶瓷胚体的内表面进行辉光清洗，以提高所述陶瓷胚体的内表面的膜层结合力；

向所述真空腔室内通入惰性气体，开启靶材，关闭靶材屏蔽罩，对所述靶材表面进行离子束去污处理，以去除所述靶材表面的金属氧化物薄层；

关闭所述靶材，开启弧靶电源，关闭屏蔽罩，开启吸极电源，对所述陶瓷胚体的所述内表面进行离子束去污处理，以活化所述陶瓷胚体的内表面。

7.根据权利要求1所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，在所述增透层远离所述陶瓷胚体的一侧设置色漆涂层的步骤之后，所述陶瓷结构件的制备方法还包括如下步骤：

在所述色漆涂层远离所述陶瓷胚体的一侧喷涂底漆涂层。

8.根据权利要求7所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，所述色漆涂层包括以下质量百分数的成分：色油墨40～50％，光油10～20％，固化剂15～40％，稀释剂10～30％；所述底漆涂层包括以下质量百分数的成分：光油50～60％，固化剂15～40％，稀释剂10～30％。

9.根据权利要求7所述的陶瓷结构件的制备方法，其特征在于，在所述陶瓷胚体的内表面所在一侧喷涂所述色漆涂层和所述底漆涂层时，喷枪距离所述陶瓷胚体的距离为80mm～120mm，所述陶瓷胚体的自转速度为10°/s～60°/s，喷枪喷涂速度为500mm/s～700mm/s，喷涂气压为300Pa～400Pa，供墨气压为150Pa～250Pa，雾化气压为250Pa～350Pa。