[发明专利]带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法

权利要求书

1.一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器，所述的探测器结构为：在半绝缘InP衬底(1)上，依次为N⁺型InP层(2)、组分渐变的N⁺型In_xAl_1-xAs缓冲层(3)、In_xGa_1-xAs吸收层(4)、P⁺型In_xAl_1-xAs帽层(5)、氮化硅SiN_x钝化膜(6)、P电极(7)、加厚电极(8)、UBM Au电极(9)、铟柱(10)；在半绝缘InP衬底(1)的背面为应力平衡层(11)；其特征在于：

所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底(1)的背面有应力平衡层(11)；

所述的应力平衡层(11)为双层SiNx复合膜，第一层为厚度d1的低应力膜；第二层为厚度d2的高应力膜；d1和d2由长膜前芯片平面度PV值决定，当0≤PV≤10μm时，d1为d2为当10PV≤20μm时，d1为d2为当20PV≤30μm时，d1为d2为当30PV≤40μm时，d1为d2为当40PV≤50μm时，d1为d2为

2.根据权利要求1所述的一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器，其特征在于：所述的应力平衡层(11)采用感应耦合等离子体化学气相淀积方法制备，其中：低应力膜生长条件为：ICP功率为750±5W，RF功率为0W，衬底温度75±5℃，采用SiH₄、N₂为作为工艺气体，气体流量SiH₄:N₂为1.0～1.2，压强12～16mTorr；高应力膜生长条件为：ICP功率为1200±5W、RF功率为200±5W，衬底温度75±5℃，采用SiH₄、N₂为作为工艺气体，气体流量SiH₄:N₂为0.8～1.0，压强8～10mTorr。

3.根据权利要求1所述的一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器，其特征在于：UBM Au电极(9)、铟柱(10)采用一体化光刻，采用4620厚胶光刻。

4.根据权利要求1所述的一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器，其特征在于：所述的铟柱(10)的铟柱剥离采用石蜡固定的干法剥离法，即铟柱生长完成后，先采用石蜡将外延片背面贴在玻璃基板上，用胶带去除多余的铟，再进行浮胶。