[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910618826.7 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110719075B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 后藤聪 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21;H01L25/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王秀辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
半导体基板,具有与由第一方向以及与所述第一方向正交的第二方向规定的平面平行的主面;
多个第一单位晶体管,对第一频带的第一信号进行放大来输出第二信号;以及
多个第二单位晶体管,对所述第二信号进行放大来输出第三信号,
所述主面包括与所述第一方向平行的第一边,
在所述半导体基板上,
在俯视所述主面时,所述多个第二单位晶体管在比沿着所述第一方向的所述半导体基板的基板中心线靠所述第一边侧,沿着所述第二方向排列配置,
所述多个第一单位晶体管被配置成配置有所述多个第一单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第一中心线比配置有所述多个第二单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第二中心线远离所述第一边。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
在所述半导体基板上,
在俯视所述主面时,所述多个第一单位晶体管配置于包括所述主面的中心的中心区域,
所述多个第二单位晶体管配置于包围所述主面的所述中心区域的周边区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述半导体装置还具备:
多个第三单位晶体管,对第二频带的第四信号进行放大来输出第五信号;以及
多个第四单位晶体管,对所述第五信号进行放大来输出第六信号,
所述主面包括与所述第一边对置的第二边,
在所述半导体基板上,
在俯视所述主面时,所述多个第四单位晶体管在比所述基板中心线靠所述第二边侧,沿着所述第二方向排列配置,
所述多个第三单位晶体管被配置成配置有所述多个第三单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第三中心线比配置有所述多个第四单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第四中心线远离所述第二边。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述多个第一单位晶体管配置于比所述基板中心线靠所述第二边侧,
所述多个第三单位晶体管配置于比所述基板中心线靠所述第一边侧。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
在俯视所述主面时,所述多个第一单位晶体管与所述多个第三单位晶体管相邻配置,
所述半导体装置还具备凸块,所述凸块与所述多个第一单位晶体管的每一个的发射极或者源极、以及所述多个第三单位晶体管的每一个的发射极或者源极电连接。
6.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,
在俯视所述主面时,所述多个第一单位晶体管与所述多个第三单位晶体管相邻配置,
所述半导体装置还具备凸块,所述凸块与所述多个第一单位晶体管的每一个的发射极或者源极、以及所述多个第三单位晶体管的每一个的发射极或者源极电连接。
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