[发明专利]热处理装置和基片滑动检测方法在审
申请号: | 201910618989.5 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110718482A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 沟部优;岩男和幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热板 分割区域 外周 载置 热处理装置 滑动 温度测量部 推断 测量 热处理 滑动检测 温度设定 外周部 下降量 中央部 加热 分割 检测 | ||
1.一种能够对基片进行热处理的热处理装置,其特征在于:
具有能够载置所述基片并加热该基片的热板,
所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域,并且能对每个所述区域进行温度设定,其中,所述外周分割区域是将除了该热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的,
该热处理装置还包括:
温度测量部,其分别设置在所述热板的所述外周分割区域,测量所述热板的该外周分割区域的温度;和
滑动推断部,其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量,来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
当将所述基片载置到所述热板时,在设置于所述外周分割区域的任意者的所述温度测量部中测量出的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值的情况下,所述滑动推断部推断为该基片发生了滑动。
3.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于:
具有滑动方向推断部,当将所述基片载置到所述热板时,在设置于所述外周分割区域的任意者的所述温度测量部中测量出的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值的情况下,所述滑动方向推断部推断设置有该温度测量部的所述外周分割区域所对应的方向为该基片的滑动方向。
4.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于,包括:
保持位置获取部,其获取基片输送装置所具有的基片保持部中的所述基片的保持位置,所述基片输送装置用于保持所述基片并将所述基片送入送出该热处理装置;和
确定有无所述滑动的滑动确定部,
所述保持位置获取部在由该热处理装置进行的热处理前和热处理后获取在所述基片保持部中的所述基片的所述保持位置,
所述滑动确定部基于所述滑动方向推断部的推断结果和所述保持位置获取部的获取结果来确定有无所述滑动。
5.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,包括:
交接部,其能够向与所述热板的基片搭载面交叉的方向移动,在其与所述热板之间交接所述基片;
驱动所述交接部的驱动部;和
速度区域设定部,其设定使所述交接部以高速移动的高速区域和使所述交接部以低速移动的低速区域,
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板的温度来设定所述高速区域和所述低速区域。
6.如权利要求5所述的热处理装置,其特征在于:
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板的中央部的温度变化来设定所述高速区域和所述低速区域。
7.如权利要求5所述的热处理装置,其特征在于:
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板整体的温度变化来设定所述高速区域和所述低速区域。
8.一种检测在热板上基片有无滑动的基片滑动检测方法,其特征在于:
所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域,并且能对每个所述区域进行温度设定且在每个所述外周分割区域设置有温度测量部,其中,所述外周分割区域是将除了该热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的,
该基片滑动检测方法包括滑动推断步骤,其中,基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量,来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造