[发明专利]用于半导体工艺的方法和半导体结构

权利要求书

1.一种用于半导体工艺的方法，所述方法包括：

在介电层中沿开口的侧壁形成介电焊接层；

在所述介电焊接层上形成阻挡层，所述阻挡层包括氮化钛、氧化钛、氮化钽和氧化钽中的至少一种；

回蚀刻所述阻挡层的部分以暴露所述介电焊接层的上部的侧表面；以及

在所述介电焊接层的上部的侧表面上和所述阻挡层上形成导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，回蚀刻所述阻挡层的所述部分包括：

使用包含H₂O₂、H₂SO₄、HNO₃、NH₄OH或其组合中的至少一种的溶液湿蚀刻所述阻挡层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料的部分与所述介电焊接层的上部的侧表面直接接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述回蚀刻后，所述开口的上部相比于所述开口的下部具有更大的尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电焊接层是含硅介电材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述介电焊接层包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过回蚀刻所述阻挡层的所述部分暴露的所述介电焊接层的所述上部的侧表面暴露于15nm至25nm的深度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层的顶面低于位于所述介电层的开口的侧壁上的所述介电焊接层的顶面。

9.一种半导体结构，包括：

介电层，具有侧壁，所述介电层位于衬底上方；

介电焊接层，沿着所述侧壁，所述介电焊接层暴露所述侧壁的上部；

阻挡层，沿着所述介电焊接层，所述阻挡层暴露所述介电焊接层的上部；以及

导电材料，沿着所述阻挡层和沿着所述侧壁的相应上部以及介电焊接层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述导电材料具有与所述介电焊接层接触的顶部宽度，所述顶部宽度比与所述阻挡层接触的底部宽度宽。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述导电材料与所述介电焊接层的上部直接接触。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，在所述介电焊接层和所述阻挡层的相应顶面之间限定深度，其中，所述深度为15nm至25nm。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述阻挡层的顶面在所述介电焊接层的顶面下方。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述导电材料包括钴，钨，铜，铝，金，银以及它们的合金中的至少一种。

15.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括：

硅化物区域，沿着所述阻挡层的底部并且位于所述导电材料下方。

16.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述介电焊接层是含硅介电材料。

17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述介电焊接层是氧化硅，氮化硅，碳化硅，碳氧化硅，氮氧化硅或它们的多层。

18.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述阻挡层是氮化钛，氧化钛，氮化钽，氧化钽或它们的组合。