[发明专利]具有静电保护功能的输出驱动电路

权利要求书

1.一种具有静电保护功能的输出驱动电路，其特征在于，包括：

输出驱动模块，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，以及输出端；所述第一PMOS管的源极连接电源线VDD，漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第二PMOS管的源极连接至电源线VDD，漏极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS；所述输出端连接至所述第一PMOS管和第一NMOS管的漏极，还连接至所述第二PMOS管和第二NMOS管的漏极；

第一电位控制模块和第二电位控制模块，所述第一电位控制模块连接至所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使得所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极均具有相同的电位；所述第二电位控制模块连接至所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使得所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极均具有相同的电位。

2.根据权利要求1所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第一电位控制模块包括第一控制电压端和第三控制PMOS管；所述第三控制PMOS管的栅极连接至所述第一控制电压端，源极连接至电源线VDD，漏极连接至所述第二PMOS晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第一电位控制模块还包括：第一控制NMOS管、第二控制NMOS管以及第一控制电压端；所述第一控制NMOS管的漏极连接至第一PMOS管的栅极，源极连接至地线VSS，栅极连接至所述第一控制电压端；所述第二控制NMOS管的漏极连接至第二PMOS管的栅极，源极连接至地线VSS，栅极连接至所述第一控制电压端。

4.根据权利要求3所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第一控制电压端的电压在输出端施加负ESD电压时，控制所述第一控制NMOS管、第二控制NMOS管导通，第三控制PMOS管关断；所述第一控制电压端的电压在正常工作状态下，控制所述第一控制NMOS管、第二控制NMOS管关断，所述第三控制PMOS管导通。

5.根据权利要求2所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第一电位控制模块还包括第一控制电压输出单元，所述第一控制电压输出单元包括第一电容和第一分压器件，所述第一电容一端连接至电源线VDD，所述第一分压器件连接至第一电容另一端与地线VSS之间，所述第一分压器件与所述第一电容的连接端作为第一控制电压端。

6.根据权利要求5所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第一分压器件为第一电阻或第一分压NMOS管，所述第一分压NMOS管的栅极连接至电源线VDD，漏极连接至第一电容，源极连接至地线VSS。

7.根据权利要求1所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第二电位控制模块包括第二控制电压端和第三控制NMOS管；所述第三控制NMOS管的栅极连接至所述第二控制电压端，漏极连接至所述第二NMOS管的栅极，源极连接至地线VSS。

8.根据权利要求7所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第二电位控制模块还包括：第一控制PMOS管、第二控制PMOS管和第二控制电压端；所述第一控制PMOS管的漏极连接至第一NMOS管的栅极，源极连接至电源线VDD，栅极连接至所述第二控制电压端；所述第二控制PMOS管的漏极连接至第二NMOS管的栅极，源极连接至电源线VDD，栅极连接至所述第二控制电压端。

9.根据权利要求8所述的输出驱动电路，其特征在于，所述第二控制电压端的电压在输出端施加正ESD电压时，控制所述第一控制PMOS管、第二控制PMOS管导通，第三控制NMOS晶体管关断；所述第二控制电压端的电压在正常工作状态下，控制所述第一控制PMOS管、第二控制PMOS管关断，所述第三控制NMOS管导通。