[发明专利]氮化镓晶体生长装置及其生长方法

权利要求书

1.一种氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述氮化镓晶体生长装置包括反应容器(1，10)，

所述反应容器(1，10)内设置原料区(2，20)和结晶区(3，30)，所述原料区(2，20)和所述结晶区(3，30)中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区(2，20)和所述结晶区(3，30)在所述反应容器(1，10)的轴向上交替分布。

2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述反应容器(1，10)内沿所述轴向依次设置有第一结晶区(31)、第一原料区(21)、第二结晶区(32)、第二原料区(22)和第三结晶区(33)，

所述第一结晶区(31)具有第一籽晶安装架(311)，所述第一籽晶安装架(311)的下方设置有第一籽晶(312)，

所述第二结晶区(32)具有第二籽晶安装架(321)，所述第二籽晶安装架(321)的上方和下方均设置有第二籽晶(322)，

所述第三结晶区(33)具有第三籽晶安装架(331)，所述第三籽晶安装架(331)的上方设置有第三籽晶(332)，

所述第一原料区(21)和所述第二原料区(22)均设置有多晶原料。

3.根据权利要求1所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述反应容器(1，10)内沿所述轴向依次设置有第三原料区(201)、第四结晶区(301)、第四原料区(202)、第五结晶区(302)和第五原料区(203)，

所述第四结晶区(301)具有第四籽晶安装架(3011)，所述第四籽晶安装架(3011)的上方和下方均设置有第四籽晶(3012)，

所述第五结晶区(302)具有第五籽晶安装架(3021)，所述第五籽晶安装架(3021)的上方和下方均设置有第五籽晶(3022)，

所述第三原料区(201)、所述第四原料区(202)和所述第五原料区(203)均设置有多晶原料。

4.根据权利要求2或3所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，每个籽晶安装架均为无孔的圆盘体，所述圆盘体的直径比所述反应容器(1，10)的内径小1mm至2mm。

5.根据权利要求4所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述圆盘体的盘面垂直于所述轴向设置。

6.根据权利要求1所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述氮化镓晶体生长装置还包括加热装置组件(5，50)，

所述加热装置组件(5，50)包括原料区加热装置(51，501)和结晶区加热装置(52，502)，所述原料区加热装置(51，501)用于对所述原料区(2，20)加热，所述结晶区加热装置(52，502)用于对所述结晶区(3，30)加热。

7.根据权利要求1所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述反应容器(1，10)中设置有酸性矿化剂，所述结晶区(3，30)的温度低于所述原料区(2，20)的温度，或者

所述反应容器(1，10)中设置有碱性矿化剂，所述结晶区(3，30)的温度高于所述原料区(2，20)的温度。

8.根据权利要求1所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，每个所述原料区(2，20)和每个所述结晶区(3，30)之间设置有隔板(4，40)，所述隔板(4，40)具有通孔(41，401)。

9.根据权利要求8所述的氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述隔板(4，40)为圆形，和/或

所述通孔(41，401)的数量为多个。

10.一种氮化镓晶体的生长方法，其特征在于，使用权利要求1至9中任一项所述的氮化镓晶体生长装置生长氮化镓晶体。