[发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管的模拟模型

权利要求书

1.一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，用以对一功率金属氧化物半导体场效晶体管的多个参数进行测量，以分别产生对应的多个模拟结果，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型包括：

一栅极节点、一源极节点及一漏极节点；

一栅极电阻，连接于所述栅极节点及一第一节点之间；

一第一压控电压源，连接于所述栅极电阻及一第一节点之间，经配置以响应于温度变化，以一第一子电路模拟所述栅极节点上的一栅极电荷行为；

一源极电阻，连接于所述源极节点及一第二节点之间；

一栅极源极间电容及一栅极源极间电阻，连接于所述第一节点及所述第二节点之间；

一漏极电阻，连接于所述漏极节点及一第三节点之间；

一第一查表电流源，连接于所述漏极节点及所述第一节点之间，所述第一查表电流源用以依据一第二子电路的一查表电流值，模拟一栅极漏极间电容所产生的一等效电流值；

一晶体管子电路，包括：

一第一晶体管，连接于所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点；及

一第二晶体管，连接于所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管用于模拟一导电电压于一小电流区间及一大电流区间中的行为；以及

一崩溃电压模块，连接于所述源极节点与所述源极电阻之间的一第四节点以及所述漏极节点与所述漏极电阻之间的一第五节点之间，所述崩溃电压模块经配置以依据所述第一子电路的一电压值，模拟所述漏极节点及所述源极节点之间的崩溃电压效应。

2.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第一子电路包括：

一电流源，连接于一第六节点及一第七节点之间；

一崩溃电阻，连接于所述第七节点及一第八节点之间；

一温度效应电阻，连接于所述第六节点及所述第八节点之间；以及

一第一直流电源，连接于所述第六节点及所述温度效应电阻之间。

3.根据权利要求2所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第六节点连接于所述第二节点。

4.根据权利要求2所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第一压控电压源的电压依据所述第六节点及所述第八节点的电压产生。

5.根据权利要求2所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述崩溃电压模块包括：

一崩溃二极管，连接于所述第五节点；以及

一第二压控电压源，连接于所述崩溃二极管及所述第四节点之间。

6.根据权利要求5所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第二压控电压源的电压依据所述第七节点及所述第八节点的电压产生。

7.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第二子电路包括：

一第二直流电源，连接于一接地端及一第九节点之间；

一电容，连接于所述第九节点及一第十节点之间；

一第三压控电压源，连接于所述第十节点及所述接地端之间，其中所述第三压控电压源的电压是依据所述第一节点及所述第五节点的电压产生；以及

一查表器，经配置以依据所述第十节点的电压值查询一电压电流对照表，以产生所述查表电流值，其中所述第一查表电流源依据所述查表电流值，模拟所述等效电流值。

8.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一栅极电感电路，所述栅极电感电路连接于所述栅极节点及所述栅极电阻之间，所述栅极电感电路包括并联的一栅极电感及一栅极电感电阻。