[发明专利]一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置有效

专利信息
申请号: 201910620806.3 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN110411584B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 郭鑫民;杨振;张建军;张建隆;高金红;高清京 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01J5/52 分类号: G01J5/52
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 金字塔结构 超高 发射 率面源 黑体 装置
【权利要求书】:

1.一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,包括面源黑体(8),其特征在于:所述面源黑体(8)的前表面设有若干阵列排布的金字塔型凸起,所述阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置还包括温度控制系统和箱体组合件;所述温度控制系统包括发热件(9)、温控仪(11)及温度传感器(4);所述箱体组合件包括箱体(3)及防尘镜片(6);所述箱体(3)后端敞口设置,箱体(3)前端侧壁中部设有红外输出窗口(12),面源黑体(8)和发热件(9)皆安装于所述箱体(3)内,且面源黑体(8)的前表面朝向箱体(3)的红外输出窗口(12)设置,所述发热件(9)紧贴于面源黑体(8)的后表面,所述温度传感器(4)固定于面源黑体(8)的侧表面上,所述防尘镜片(6)固定在箱体(3)的前表面上;发热件(9)受所述温控仪(11)的控制用于保持面源黑体(8)的温度;温度传感器(4)用于采集面源黑体(8)的温度,并将其转化为相应强度的电信号传输给温控仪(11);温控仪(11)用于将接收到的电信号处理为温度数据,并根据所述温度数据控制发热件(9)的输出功率;面源黑体(8)的发射率大于0.99。

2.根据权利要求1所述的一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,其特征在于:所述箱体组合件还包括后盖板(1)、黑体保持架(5)和黑体保持架盖板(10);所述黑体保持架(5)内嵌于箱体(3)中,所述面源黑体(8)、发热件(9)和黑体保持架盖板(10)由前至后依次紧贴设置并内嵌于所述黑体保持架(5)中,所述防尘镜片(6)、箱体(3)和黑体保持架(5)三者通过多个防尘镜片螺钉(7)固定连接,所述后盖板(1)抵靠在黑体保持架盖板(10)的后侧面上,后盖板(1)与箱体(3)通过多个内六角螺钉(2)固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,其特征在于:所述温度控制系统还包括电源(13);所述电源(13)用于给温控仪(11)供电,所述温控仪(11)用于给发热件(9)和温度传感器(4)供电。

4.根据权利要求1或3所述的一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,其特征在于:所述发热件(9)为PCT发热件。

5.根据权利要求4所述的一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,其特征在于:所述PCT发热件为正方形,PCT发热件的长×宽=72mm×72mm,额定电压为24V,PCT发热件在25°环境温度下的电阻值为2-5Ω。

6.根据权利要求1所述的一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,其特征在于:所述面源黑体(8)为正方形,面源黑体(8)的长×宽=70mm×70mm。

7.根据权利要求1所述的一种阵列金字塔结构超高发射率面源黑体装置,其特征在于:所述温度传感器(4)为贴片式Pt100温度传感器。

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