[发明专利]一种空气桥的制作方法以及空气桥

权利要求书

1.一种空气桥的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在基片和电极上制作一层牺牲层；

步骤2、在牺牲层上制作第一层光刻胶，之后对第一层光刻胶光刻，保留“桥体”区域光刻胶，去除“桥墩”区域光刻胶；

步骤3、去除“桥墩”区域牺牲层，去除“桥体”区域光刻胶；

步骤4、制作桥面金属种层；

步骤5、在金属种层上制作第二层光刻胶，之后对第二层光刻胶光刻，去除“桥体”区域和电极上方的光刻胶；

步骤6、在金属种层上制作金属加厚层，再去除第二层光刻胶；

步骤7、去除金属加厚层下方的金属种层和牺牲层，形成空气桥。

2.根据权利要求1所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述基片为氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟或硅材质的半导体晶圆以及表面的外延结构。

3.根据权利要求1所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述电极为任何有源或者无源器件的金属电极，相邻电极之间间距为0.2～2um，电极宽度0.5～2um。

4.根据权利要求1所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述步骤1的牺牲层是采用沉积方式制作的薄膜，厚度为1～4μm，所述牺牲层采用易被酸性溶液腐蚀的介质材料。

5.根据权利要求4所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述牺牲层采用SiO₂、ZnO、SnO₂、HfO₂或Ga₂O₃。

6.根据权利要求1所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述步骤2和步骤5中，所述第一层光刻胶和第二层光刻胶均采用旋涂方式制作，第一层光刻胶厚度为1～3μm，第二层光刻胶厚度为2～6μm。

7.根据权利要求1所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述步骤2中，所述光刻出的光刻胶边缘为斜面，所述斜面使光刻胶自牺牲层向上面积逐渐减小，所述斜面与牺牲层之间角度为30-70度。

8.根据权利要求1所述的空气桥的制作方法，其特征在于：所述步骤3中，采用湿法刻蚀去除牺牲层，所述湿法蚀刻控制过蚀量为100％～250％。

9.一种空气桥，金属加厚层悬空横跨相邻电极构成空气桥本体，其特征在于：所述空气桥本体采用权利要求1-8中任一所述的制作方法制作，所述金属加厚层的厚度为1～4um。