[发明专利]一种低压差线性稳压电路和集成电路在审

专利信息
申请号: 201910620984.6 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN110320955A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 陈强;许志玲;陈世超;许建超 申请(专利权)人: 深圳市锐能微科技有限公司
主分类号: G05F1/575 分类号: G05F1/575
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 袁哲
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镜像电路 偏置电流 低压差线性稳压电路 基准电流 导通 基准电路 偏置电路 输入端 晶体管阈值电压 输入端连接 电源电压 控制环路 连接电源 启动电路 电源端 负电压 零电压 输出端 晶体管 集成电路 能耗 复制 输出
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压电路,其特征在于,包括:

电源端子,所述电源端子用于接入电源;

公共电位端子,所述公共电位端子用于连接公共电位;

镜像电路,所述镜像电路的电源端连接所述电源端子,所述镜像电路的输入端连接偏置电流;

偏置电路,连接在所述镜像电路的输入端和所述公共电位端子之间,所述偏置电路能自导通以在所述镜像电路的输入端形成所述偏置电流;

第一负载,包括P型晶体管和N型晶体管,所述第一负载连接在所述镜像电路的输出端和公共电位端子之间,所述镜像电路镜像所述偏置电流并作用在所述第一负载,以在输出端产生基准电压;

输出控制环路,与所述镜像电路的输出端、所述电源端子以及所述公共电位端子连接,所述输出控制环路设置为根据所述基准电压产生输出电压并在输出端输出。

2.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述偏置电路包括第一晶体管和第二负载,所述第一晶体管为阈值电压接近零电压或负电压的Native NMOS管,所述第一晶体管的漏极连接所述镜像电路的输入端,所述第一晶体管的源极连接所述第二负载的第一端,所述第二负载的第二端、所述第一晶体管的栅极以及所述晶体管的衬底接公共电位端子。

3.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述镜像电路包括同属性的第二晶体管和第三晶体管,所述第二晶体管的第一导通端和所述第三晶体管的第一导通端作为所述镜像电路的电源端,所述第二晶体管的第二导通端作为所述镜像电路的输入端,所述第三晶体管的第二导通端作为所述镜像电路的输出端,所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极和所述第二晶体管的第二导通端共接。

4.如权利要求3所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第二晶体管和第三晶体管为PMOS管,所述PMOS管的源极作为所述第一导通端,所述PMOS管的漏极作为所述第二导通端。

5.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第二负载和所述第一负载为电阻、电容、电感、晶体管中的至少一种。

6.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第一负载包括第四晶体管和第五晶体管,所述第四晶体管和所述第五晶体管其中一个为N型晶体管,另一个为P型晶体管,所述第四晶体管和所述第五晶体管以二极管的连接方式串联之后,连接在所述镜像电路的输出端与公共电位端子之间。

7.如权利要求1至6任一项所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述输出控制环路包括运算放大器、反馈网络及功率管,所述运算放大器的反相输入端连接所述镜像电路的输出端,所述运算放大器的正相输入端连接所述反馈网络的输出端,所述功率管的控制端连接所述运算放大器的输出端,所述功率管的第一导通端连接所述电源端子,所述功率管的第二导通端连接所述反馈网络的第一端并作为所述输出控制环路输出端,所述反馈网络的第二端接公共电位端子。

8.如权利要求7所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述反馈网络包括第一分压模块和第二分压模块,所述第一分压模块的第一端作为所述反馈网络的第一端,所述第一分压模块的第二端与第二分压模块的第一端共接并作为所述反馈网络的输出端,所述第二分压模块的第二端作为所述反馈网络的第二端。

9.如权利要求7所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述功率管为PMOS管,所述PMOS管的栅极、源极、漏极分别作为所述控制端、第一导通端、第二导通端。

10.一种集成电路,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的低压差线性稳压电路。

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