[发明专利]一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910622034.7 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110350389A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张多多;刘小峰;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S5/065 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可饱和吸收体 平面光波导 制备 金属氧化物薄膜 半导体激光器 固体激光器 光纤激光器 金属氧化物 近红外波段 脉冲激光器 光纤V型槽 工作波段 过渡金属 激光脉冲 激光损伤 激光器 氧化物 覆盖 可用 | ||
1.一种基于平面光波导的可饱和吸收体，其特征在于：可饱和吸收体包括平面光波导和覆盖于平面光波导表面的金属氧化物，平面光波导主要由以石英玻璃作为衬底的PLC芯片和光纤V型槽组成，PLC芯片内刻蚀有用于光传输的波导光路，PLC芯片两侧耦合有光纤V型槽，PLC芯片表面刻蚀有用于沉积金属氧化物的凹槽。
2.根据权利要求1所述的一种基于平面光波导的可饱和吸收体，其特征在于：所述金属氧化物包括掺锡氧化铟ITO、掺氟氧化锡FTO、掺铝氧化锌AZO、掺锌氧化铟IZO、掺镓氧化锌GZO和铟镓锌氧化物IGZO以及金属Ti、V、Mo、W的氧化物。
3.根据权利要求1所述的一种基于平面光波导的可饱和吸收体，其特征在于：所述可饱和吸收体的工作波段覆盖0.5–3.0微米。
4.根据权利要求1所述的一种基于平面光波导的可饱和吸收体，其特征在于：所述可饱和吸收体用于不同种类脉冲激光器的锁模和调-Q脉冲的产生。
5.根据权利要求1所述的一种基于平面光波导的可饱和吸收体，其特征在于：光在平面光波导中传播时的倏逝场与覆盖在PLC芯片上的金属氧化物作用产生可饱和吸收效应。
6.采用权利要求1～5任一所述的基于平面光波导的可饱和吸收体的制备方法，其特征在于：通过气相沉积法在PLC芯片内刻蚀形成波导，PLC芯片表面通过刻蚀形成凹槽且凹槽底部位于波导上方10微米处，金属氧化物通过磁控溅射或激光沉积技术沉积在凹槽底部，然后通过波导耦合平台将沉积有金属氧化物的PLC芯片和光纤V型槽耦合后制作形成平面波导型可饱和吸收体。
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