[发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910622606.1 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN112216737A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫;徐艳;汪鹏 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/306;H01L21/308;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;杨孟娟 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种硅晶圆结构，其特征在于，所述硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在所述硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，所述硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，所述第一尖角或所述第二尖角设置在所述第一槽和所述第二槽的连接处。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述硅晶圆主体的背面、所述第一槽的表面以及所述第二槽的表面均镀有抗腐蚀的薄膜。
3.根据权利要求2所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述硅晶圆主体的正面设有可图形化的薄膜。
4.根据权利要求3所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述薄膜包括金属薄膜和非金属薄膜，其中，所述金属薄膜包括铬薄膜和金薄膜，所述非金属薄膜包括氮化硅薄膜。
5.根据权利要求3或4所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述薄膜的厚度为0.1～3um。
6.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述硅晶圆主体为(100)面型硅片。
7.一种如权利要求1至6任一项所述的硅晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；
在所述硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；
在所述硅晶圆主体的背面以及所述第一槽的表面蒸镀薄膜；
在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；
腐蚀完成后，采用可腐蚀掉上述蒸镀薄膜的腐蚀液去除该蒸镀薄膜。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，采用氮化硅薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述硅晶圆主体的背面以及所述第一槽的表面蒸镀铬薄膜或金薄膜。
10.根据权利要求7至9任一项所述的制造方法，其特征在于，腐蚀完成后，采用铬腐蚀液或金腐蚀液对应去除该蒸镀薄膜。
11.一种如权利要求1至6任一项所述的硅晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；
在所述硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；
腐蚀去除该薄膜；
再次双面沉积生长该薄膜；
在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；
腐蚀完成后，采用可腐蚀掉上述薄膜的腐蚀液去除该薄膜。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜为氮化硅薄膜，采用磷酸或氢氟酸可去除该氮化硅薄膜。
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