[发明专利]一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站

说明书

本发明公开了一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站，所述方法包括使用光源照射异质结电池，所述光源照射的同时通过热辐射的方式将所述异质结电池加热至20℃至300℃之间，所述光源的光强为1~160个太阳光强。本发明的异质结电池氢钝化方法通过光源提供照射同时加热的方法对异质结电池进行氢钝化，使得氢钝化设备的结构简单，且传热的方式为热辐射，热辐射传热速度快，热惯性小且不存在与被测对象达到热平衡的问题。

技术领域

本发明涉及电池片制造技术领域，具体涉及一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站。

背景技术

异质结太阳电池因具有工艺温度低、转换效率高、电池稳定性好及温度系数低等特点而备受国内外研究人员关注。一般情况下，硅片表面存在有大量的界面态缺陷，这主要是由硅片表面的大量悬挂键缺陷引起的，是有效的光生载流子复合中心。实验和理论结果都表明，当界面态缺陷密度太大时，电池的开路电压、填充因子和转换效率就会急剧下降。而借助a-Si:H(i)薄膜优异的钝化能力，可对硅片表面的悬挂键缺陷进行有效钝化，从而大大降低少数载流子在异质结界面的复合速率，可使异质结电池的开路电压达到700mV以上，电池效率得到大幅提升。现有技术中的氢钝化工艺一般都是通过单独的加热装置对硅电池进行加热，再通过单独的光源为硅电池提供照射来提升硅电池的光电转化效率，其需要提供一个单独的区域进行加热，这样会使得氢钝化设备的结构变得复杂，而且传热的方式为热传导或热对流，其传热速度慢，热惯性小且要考虑与被测对象达到热平衡的问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的问题，提供一种改进的异质结电池氢钝化方法。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种异质结电池氢钝化方法，所述方法包括使用光源照射异质结电池，所述光源照射的同时通过热辐射的方式将所述异质结电池加热至20℃至400℃之间，所述光源的光强为1~160个太阳光强。

优选地，所述光源的光谱有部分或全部光谱波长落在100nm-1100nm区域内。

优选地，通过所述光源加热所述异质结电池的时间为3~500s。

优选地，所述光源为LED光源。

进一步地，所述LED光源设置有一个或多个。

优选地，所述光源的照射范围覆盖所述异质结电池的全部表面积。

优选地，所述方法还包括对所述异质结电池加热后进行冷却。

进一步地，通过冷却介质对所述异质结电池进行冷却。

优选地，所述光源施加于所述异质结电池的照射强度能够调节。

优选地，所述异质结电池包括一中央晶体硅层、分别位于所述中央晶体硅层的上方和下方的两层氢化非晶体硅沉积层、分别设置在上方和下方的氢化非晶体硅沉积层上的抗反射层。

本发明还提供一种异质结电池氢钝化装置，所述氢钝化装置按照如上述任一项所述的氢钝化方法对所述异质结电池进行氢钝化处理。

本发明还提供一种电池，该电池采用如上述任一项所述的氢钝化方法进行氢钝化处理。

本发明还提供一种电池组件，电池组件包括多个互相串联的电池，所述电池采用如上述任一项所述的氢钝化方法进行氢钝化处理。

本发明还提供一种太阳能供电站，包括多个电池组件，所述电池组件采用如上述任一项所述的氢钝化方法进行氢钝化处理。