[发明专利]一种用于全控H桥拓扑结构的新型主动温度控制策略

权利要求书

1.用于全控H桥拓扑结构的新型主动温度控制策略，其特征在于，新型主动温度控制系统包括全控H桥拓扑结构、主动温度控制器和PWM信号发生器；

所述全控H桥拓扑结构端口电压为u_s，电路元件包括第一全控型开关管S₁、第二全控型开关管S₂、第三全控型开关管S₃、第四全控型开关管S₄，以及与相应全控型开关管对应的第一二极管D₁、第二二极管D₂、第三二极管D₃、第四二极管D₄；

所述主动温度控制器，其特征在于，由PID控制器、温度检测模块组成；

所述温度检测模块，其特征在于，每个全控型开关管上安装一个温度传感器，用于检测所述各个全控型开关管的壳温信息；

所述PWM信号发生器，其特征在于，用于产生所述全控型开关管的驱动信号。

2.根据权利要求1所述全控H桥拓扑结构，其特征在于，所述全控H桥变换器的全控型开关管须由独立的驱动信号进行控制，使所述变换器能够在多种运行方式下工作，所述上下桥臂的功率开关配置为互补导通状态以防止桥臂直通发生短路。

3.根据权利要求2所述运行方式，其特征在于，依据驱动信号的配置不同可分为方式一、方式二、方式三和方式四共四种无桥运行方式；

所述方式一，其特征在于，所述第一全控型开关管S₁的栅极驱动信号G₁被置为零，所述第二全控型开关管S₂的栅极驱动信号G₂被配置为所述第三全控型开关管S₃的栅极驱动信号G₃被置为零，所述第四全控型开关管S₄的栅极驱动信号G₄被配置为PWM2；

所述方式二，其特征在于，所述第一全控型开关管S₁的栅极驱动信号G₁被配置为PWM2，所述第二全控型开关管S₂的栅极驱动信号G₂被置为零，所述第三全控型开关管S₃的栅极驱动信号G₃被配置为所述第四全控型开关管S₄的栅极驱动信号G₄被置为零；

所述方式三，其特征在于，所述第一全控型开关管S₁的栅极驱动信号G₁被置为零，所述第二全控型开关管S₂的栅极驱动信号G₂被置为零，所述第三全控型开关管S₃的栅极驱动信号G₃被配置为所述第四全控型开关管S₄的栅极驱动信号G₄被配置为PWM2；

所述方式四，其特征在于，所述第一全控型开关管S₁的栅极驱动信号G₁被配置为PWM2，所述第二全控型开关管S₂的栅极驱动信号G₂被配置为所述第三全控型开关管S₃的栅极驱动信号G₃被置为零，所述第四全控型开关管S₄的栅极驱动信号G₄被置为零。

4.根据权利要求1所述全控H桥拓扑结构，其特征在于，所述四个全控型开关管的壳温平均温度高于设定的阈值时，则将所述全控H桥的运行方式切换为相应的无桥运行方式。

5.根据权利要求1所述全控H桥拓扑结构，其特征在于，所述上桥臂和下桥臂或左桥臂和右桥臂全控型开关管的温差超过设定的阈值时，对无桥运行方式进行对偶结构切换，即方式一和方式二切换、方式三和方式四切换。

6.根据权利要求1所述全控H桥拓扑结构，其特征在于，所述全控型开关管可以为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)或IGCT(集成门极换流晶闸管)或MOSFET(电力场效应晶体管)。

7.根据权利要求3-5任意一项所述调制方式，其特征在于，所述过程或者方法可以不按照所述顺序，可以根据所涉及的功能按照相同、相反或任意顺序的方式来执行功能。