[发明专利]一种掺钕BGSO混晶材料及其制备方法

权利要求书

1.一种掺钕BGSO混晶材料，其特征在于，该混晶材料的化学式为(Nd_xBi_1-x)₄(Ge_1-ySi_y)₃O₁₂，其中x的取值范围为0.001-0.010，y的取值范围是0.05-0.5，晶胞参数为

2.一种如权利要求1所述的掺钕BGSO混晶材料的制备方法，其特征在于，采用微下拉法进行生长，该方法主要包括以下步骤：

(1)初始原料为5N纯度的Nd₂O₃，Bi₂O₃，GeO₂和SiO₂粉末，先选定Nd离子掺杂取代Bi离子，Si离子取代Ge离子中Nd和Si离子合适浓度之后，按照化学式(Nd_xBi_1-x)₄(Ge_1-ySi_y)₃O₁₂仔细计算每种原料所需的质量，并准确称量；

(2)将称量后的粉末原料放入玛瑙研钵中充分研磨使原料混合均匀，然后使用油压机压成棒状料胚，高温烧结，取出放入铂金坩埚，装入微下拉炉中进行生长；

(3)选取合适籽晶，在进行装炉过程要保证籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上；

(4)在1.2-2.5小时内升温到0.045-0.052KW并恒温0.2-0.4小时以保证坩埚内原料全部熔化，再引晶并控制拉速以使晶体稳定生长，生长结束后慢慢进行降温过程，当降至室温时，取出成品晶体。

3.根据权利要求2所述的一种掺钕BGSO混晶材料及其制备方法，其特征在于，步骤(2)将原料研磨的时间为40min-60min。

4.根据权利要求2所述的掺钕BGSO混晶材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)对原料高温烧结时，升温速率为75-155℃/h，并在700-850℃恒温22-30h。

5.根据权利要求2所述的掺钕BGSO混晶材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中当保证籽晶、坩埚底部小孔中心和线圈中心处于同一竖直线上时，采用旋转籽晶杆，籽晶摆幅不超过1mm。

6.根据权利要求2所述的掺钕BGSO混晶材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)引晶时籽晶杆的拉速为0.25-0.65mm/min，晶体稳定生长时拉速为5-8mm/min。

7.根据权利要求2所述的掺钕BGSO混晶材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)降温过程的时间为3-4小时。