[发明专利]一种基于微通道板的高增益混合型光电倍增管

权利要求书

1.一种基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于包括外壳(3)和底座(6)构成的真空腔室、宽禁带半导体探测器(5)、光阴极(1)、微通道板MCP(2)、金属聚焦极(4)和调节分压比的三个分压电阻：第一电阻(7)、第二电阻(8)和第三电阻(9)；外壳(3)的前端设有入射窗，光阴极(1)覆于外壳入射窗内侧，光阴极(1)的下端设有微通道板MCP(2)，微通道板MCP(2)的下端设有带有缺口的V型的金属聚焦极(4)，缺口的下端设有宽禁带半导体探测器(5)，并置于底座(6)上；光阴极(1)与底座(6)之间施加电源，底座(6)为地，光阴极(1)为-HV；第一电阻(7)、第二电阻(8)和第三电阻(9)串联于-HV与地之间，且第二电阻(8)并联于微通道板MCP(2)的两端；探测器的信号和电压引线通过底座引出壳体之外；

所述宽禁带半导体探测器(5)采用肖特基极二极管或PIN二极管结构，工作在反偏状态；探测器的入射面厚度控制在百纳米以下，灵敏层厚度控制在10μm～100μm之间，灵敏区直径在5mm-30mm之间。

2.根据权利要求1所述基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于：所述真空腔室的真空度为10^-3Pa量级。

3.根据权利要求1所述基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于：所述外壳采用石英玻璃制成，底座采用放气率低的陶瓷材料。

4.根据权利要求1所述基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于：所述宽禁带半导体探测器(5)采用CVD、CZT、GaO或SiC。

5.根据权利要求1所述基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于：所述微通道板MCP(2)采用BeO、MgO、Cs₃Sb或负电子亲和材料。

6.根据权利要求5所述基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于：所述负电子亲和材料为GaP(Cs)、GaP(ZnO)。

7.根据权利要求1所述基于微通道板的高增益混合型光电倍增管，其特征在于：所述光阴极采用双碱、多碱或砷化镓光敏材料。