[发明专利]紫外LED及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外LED，其特征在于，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的非掺杂Al_tGa_1-tN层、N型Al_wGa_1-wN层、Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱层、电子阻挡层和空穴注入层；

其中，所述空穴注入层包括至少一个子层，所述子层包括层叠设置的P型Al_uGa_1-uN层、P型Al_vGa_1-vN层和P型GaN层中的至少两层；

0＜t＜1、0＜w＜1、0＜y＜x＜1、0＜v≤1、0＜u≤1、u≠v；

所述空穴注入层是在电子阻挡层上形成一个或多个所述子层并进行退火得到，所述退火包括依次进行的高温退火和低温退火，其中所述高温退火的温度为850～950℃，时间为10s～20min；所述低温退火的温度为650～750℃，时间为1～60min；

所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱层包括交替层叠设置的Al_xGa_1-xN垒层和Al_yGa_1-yN阱层，交替次数为2～50次，且所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱层最靠近所述衬底的底层和最远离所述衬底的顶层均为Al_xGa_1-xN垒层；

所述Al_xGa_1-xN垒层的厚度为5～25nm，所述Al_yGa_1-yN阱层的厚度为1～5nm；

所述Al_yGa_1-yN阱层中的Al含量低于所述电子阻挡层中的Al含量；和/或，所述Al_yGa_1-yN阱层中的Al含量低于所述非掺杂Al_tGa_1-tN层中的Al含量。

2.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，自衬底向上的方向，每一所述子层均包括依次层叠设置的P型Al_vGa_1-vN层和P型GaN层，其中0.1≤v≤1；

或者，自衬底向上的方向，每一所述子层均包括依次层叠设置的P型Al_uGa_1-uN层和P型Al_vGa_1-vN层，其中0.1≤v≤1、0.1≤u≤1、u≠v；

或者，自衬底向上的方向，每一所述子层均包括依次层叠设置的P型Al_uGa_1-uN层、P型Al_vGa_1-vN层和P型GaN层，其中0.1≤v≤1、0.1≤u≤1、u≠v。

3.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述空穴注入层的总厚度为10～500nm；

和/或，所述空穴注入层的掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3～5×10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，还包括设置在非掺杂Al_tGa_1-tN层与衬底之间的缓冲层，所述缓冲层为AlN缓冲层或GaN缓冲层。