[发明专利]GaSe/MoS2

权利要求书

1.GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于所述制备方法是通过下述步骤完成的：

步骤一、以MoO₃和硫粉为原料，再氮气气氛下，采用双温区化学气相沉积，在基底上沉积单层MoS₂；

步骤二、用Scotch胶带反复粘撕GaSe块体并将其黏附于转移媒介上，选取尺寸为20±5μm和厚度为20nm～40nm的GaSe并将其对应的转移媒介区域一同割裂出来，然后利用转移平台将其对准基底上的MoS₂，通过缓慢的按压使得GaSe与基底上的单层MoS₂紧密贴合，保持一段时间后，将转移媒介缓慢抬起；

步骤三、重复步骤二，直至将硅片表面的MoS₂上均覆盖有GaSe，即完成了GaSe/MoS₂异质结的制备。

2.根据权利要求1所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤一所述的基底为硅片。

3.根据权利要求1所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤一所述的基底为带有285nm厚度氧化层的硅片，即采用食人鱼溶液对硅片基底加热至83℃煮沸30分钟，使其表面带有经基而高度亲水。随后再用丙酮、异丙醇以及乙醇依次超声振荡10分钟己彻底除去表面有机质，最终保存在乙醇中以备使用，其中，所述食人鱼溶液为体积比为3:2的浓硫酸和30％(质量)过氧化氢的混合物。

4.根据权利要求1所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤二中采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为转移媒介。

5.根据权利要求1-3任意一项权利要求所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤一中双温区化学气相沉积是按下述步骤进行的：

步骤1、将MoO₃粉末放置石英片的一端，基底放置石英片的另一端，然后置于管式炉的高温区并将石英片上放置MoO₃端靠近低温区放置；

步骤2、将硫粉均匀置于瓷舟中，然后放置在推拉杆中，再置于管式炉内距离低温区12±2cm处，密封；

步骤3、然后通入氩气排除管式炉内的空气，对高温区和低温区同时升温，都达到设定温度时，通过推拉杆将装有硫粉的瓷舟推入低温区，进行沉积，反应结束开始降温的时通过推拉杆将装有硫粉的瓷舟从低温区撤出，随炉缓慢降温至室温，取出瓷舟和生长基底。

6.根据权利要求4所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤1中MoO₃粉末用量为40mg，步骤2中硫粉用量为1g。

7.根据权利要求4所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤1中MoO₃与基底之间相距3cm～5cm。

8.根据权利要求4所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤3中高温区的设定温度为670℃，低温区的设定温度为250℃，高温区和低温区升温速度均设置在10℃/min～12℃/min。

9.根据权利要求4所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤3中沉积过程中氮气气流量控制在14sccm。

10.根据权利要求4所述的GaSe/MoS₂异质结的制备方法，其特征在于步骤3中沉积时间为8min～12min。