[发明专利]图像传感器和摄像设备有效
申请号: | 201910625386.8 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN110719419B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 池户秀树;小林宽和 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/225 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 摄像 设备 | ||
1.一种图像传感器,包括:
像素区域,其中多个像素以矩阵形式排列,各像素包括通过入射光的光电转换产生电荷的光电转换区域以及由于所述光电转换所产生的电荷而发生雪崩击穿的雪崩击穿区域,
其中,在所述像素区域中所排列的各像素的平面图中,雪崩击穿区域的大小小于光电转换区域的大小,以及
在所述像素区域中所排列的像素之中的配置在所述像素区域的周边区域中的至少一部分像素中,雪崩击穿区域是以该雪崩击穿区域的位置相对于所述像素区域的中央区域中所配置的像素中的雪崩击穿区域的位置发生偏移的方式形成的。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
在所述像素区域中所排列的像素之中的预定像素中,雪崩击穿区域是以该雪崩击穿区域的位置与其它像素中的雪崩击穿区域的位置相比沿着远离所述像素区域的基准位置的方向发生偏移的方式形成的。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
各像素还包括施加了第一电压的第一导电型区域、以及与所述第一导电型区域一起形成结合面并且施加了第二电压的第二导电型区域,以及
根据形成所述第一导电型区域或所述第二导电型区域的位置来控制形成雪崩击穿区域的位置。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,
在所述预定像素中,形成所述第一导电型区域或所述第二导电型区域的位置基于在光电转换区域中发生光电转换的平均位置;以及
所述平均位置基于与各像素中所设置的滤色器的颜色相对应的波长的光的穿透深度。
5.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
雪崩击穿区域的位置偏移的大小基于所述预定像素和所述基准位置之间的距离。
6.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
所述预定像素是处于与所述基准位置相距阈值以上的距离处的像素。
7.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
各像素还包括微透镜,以及
在所述预定像素中,所述微透镜是以所述微透镜的中心处于沿着朝向所述基准位置的方向发生偏移的位置的方式形成的。
8.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
各像素还包括微透镜,
所述预定像素是处于与所述基准位置相距阈值以上的距离处的像素,以及
在所述预定像素以及相比于所述预定像素处于与所述基准位置相距更短的距离处的一个或多个像素中,所述微透镜是以所述微透镜的中心处于沿着朝向所述基准位置的方向发生偏移的位置的方式形成的。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,
所述微透镜的位置偏移的大小基于所述预定像素和所述基准位置之间的距离。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,
所述微透镜的位置偏移的大小基于所述预定像素和所述基准位置之间的距离。
11.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
所述预定像素包括多个雪崩击穿区域,并且多个雪崩击穿区域中的各雪崩击穿区域形成在与雪崩击穿区域的位置相比沿着远离所述基准位置的方向发生偏移的位置。
12.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
所述预定像素是包括用于阻挡光进入光接收区域的一部分的遮光膜的像素,以及
雪崩击穿区域的位置偏移的大小基于所述遮光膜中所包括的开口区域的位置。
13.根据权利要求2或4所述的图像传感器,其中,
所述基准位置是摄像光学系统的光轴和所述像素区域彼此交叉的光轴中心。
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