[发明专利]一种DCB衬板的制作方法及IGBT模块有效
申请号: | 201910625696.X | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN110379720B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 张宏强;史波;敖利波;曹俊;马浩华 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/482;H01L23/49;H01L25/18;H01L23/367 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;何娇 |
地址: | 519000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dcb 制作方法 igbt 模块 | ||
1.一种DCB衬板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10:在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽;
S20:将第二金属布置在所述凹槽内部,所述第二金属的顶面不高于所述凹槽的上表面;
S30:将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述凹槽的纵截面构造成正立的锥形。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述凹槽设置在所述第一金属布线层的中间位置。
4.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于:所述锥形的高度小于等于第一金属布线层厚度的1/2。
5.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法,其特征在于:所述凹槽上表面的圆形的直径小于等于第一金属布线层宽度的1/4,所述凹槽下表面的圆形的直径小于等于第一金属布线层宽度的1/2。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:在步骤S20和步骤S30之间还包括:将第二金属的上表面进行抛光打磨处理。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一金属为铜,相应地,第一金属布线层为铜布线层,
所述第二金属为铝材,相应地,与第二金属相同材质的丝线为铝丝线。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于:铜布线层与铝之间采用挤压成型的方式结合在一起。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于:在步骤S30之后还包括:将凹槽内的铝材上表面以及铝材与铝丝线连接处进行镀镍处理。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于:镀镍层的厚度为3-10微米。
11.一种IGBT模块,其特征在于,包括从下至上依次设置的基板、DCB衬板和芯片,
所述DCB衬板包括DCB基底和设置在所述DCB基底上方的第一金属布线层,所述第一金属布线层的中间位置设有凹槽,所述凹槽内压接第二金属,所述第二金属的顶面不高于所述凹槽的上表面,所述第二金属连接与所述第二金属相同材质的丝线。
12.根据权利要求11所述的IGBT模块,其特征在于,所述IGBT模块还包括设置在基板下方的散热组件,所述散热组件包括散热层和设置在所述散热层和所述基板之间的导热材料。
13.根据权利要求11所述的IGBT模块,其特征在于,所述基板和所述DCB衬板之间通过第一焊接层进行连接。
14.根据权利要求11所述的IGBT模块,其特征在于,所述芯片和所述DCB衬板的外围封装有绝缘材料,且所述芯片的表面设置有延伸至所述绝缘材料外部的引脚或者母线端子。
15.根据权利要求13所述的IGBT模块,其特征在于,所述第一金属布线层和所述芯片之间通过第二焊接层进行连接。
16.根据权利要求15所述的IGBT模块,其特征在于,所述第一焊接层和所述第二焊接层的材质为锡或者银。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造