[发明专利]在电容器元件上形成高分子复合材料的方法

权利要求书

1.一种在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述在电容器元件上形成高分子复合材料的方法包括：

一制备步骤，其包括：形成包括3,4-二氧乙烯基噻吩、乳化剂、聚苯乙烯磺酸或其盐类、氧化剂以及溶剂的一匀相反应液；

一静置步骤，其包括：静置所述匀相反应液以产生微颗粒，形成一非匀相反应液；

一含浸步骤，其包括：将所述电容器元件含浸于所述非匀相反应液中，以将所述非匀相反应液涂布于所述电容器元件上，而形成一反应层；以及

一聚合步骤，其包括：加热所述反应层，以使3,4-二氧乙烯基噻吩与聚苯乙烯磺酸或其盐类发生聚合反应而形成所述高分子复合材料，而使得所述反应层形成至少包括所述高分子复合材料的一高分子复合层。

2.根据权利要求1所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述微颗粒的平均粒径为300纳米至500纳米，所述微颗粒的粒径的标准偏差为50纳米至100纳米。

3.根据权利要求1所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述在电容器元件上形成高分子复合材料的方法中，在所述静置步骤后包括：

一前处理步骤，其包括：纯化所述非匀相反应液。

4.根据权利要求3所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，纯化所述非匀相反应液的方式为离子交换法、离心法、透析法、管柱层析法、超过滤法或沉淀法中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述前处理步骤中进一步包括：对纯化后的所述非匀相反应液进行均质分散，所述非匀相反应液中微颗粒的粒径为25纳米至100纳米，所述微颗粒的粒径的标准偏差为30纳米至60纳米。

6.根据权利要求3所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述前处理步骤中进一步包括：在纯化后的所述非匀相反应液中添加一导电助剂。

7.根据权利要求6所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述导电助剂包括醇类、聚醇类、聚甘油类、糖类、高沸点溶剂或醇类溶剂中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，在所述制备步骤中，进一步包括：

将3,4-二氧乙烯基噻吩与所述乳化剂溶于所述溶剂中，以形成一匀相溶液；

将包括聚苯乙烯磺酸或其盐类的一聚苯乙烯磺酸水溶液与所述匀相溶液相互混合，以形成一前驱溶液；以及

将所述氧化剂添加于所述前驱溶液中，以形成所述匀相反应液。

9.根据权利要求1所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述聚合步骤进一步包括：使所述反应层在70℃至90℃的温度下形成所述高分子复合层。

10.根据权利要求1所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，在所述聚合步骤后，重复所述含浸步骤以及所述聚合步骤至少一次。

11.根据权利要求1所述的在电容器元件上形成高分子复合材料的方法，其特征在于，所述在电容器元件上形成高分子复合材料的方法中，在所述聚合步骤后进一步包括：

一烘干步骤，其包括：使所述高分子复合层在180℃至220℃的温度下去除所述高分子复合层中的所述溶剂。